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Ausloesekreis fuer selektive und kurzzeitverzoegerte Fehlerstromschutzein-richtungen bei Verwendung eines nanokristallinen Materials im Summen-stromwandler

IP.com Disclosure Number: IPCOM000010188D
Published in the IP.com Journal: Volume 2 Issue 11 (2002-11-25)
Included in the Prior Art Database: 2002-Nov-25
Document File: 2 page(s) / 331K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Bei der Anwendung von netzspannungsunabhaengigen Fehlerstromschutzeinrichtungen gewinnen selektive und kurzzeitverzoegerte Geraeteausfuehrungen zunehmend an Bedeutung. Die selektiven Ausfuehrungen dienen zur Realisierung einer Selektivitaet bezueglich der Fehlerstro-mausloesung, die kurzzeitverzoegerten Geraete realisieren eine hohe Fehlausloesungsfestigkeit ge-genueber transienten Ableitstroemen. Fuer die selektiven und kurzzeitverzoegerten Geraete gelten entsprechend den nationalen und inter-nationalen Geraetebestimmungen sehr komplexe Ausloesebedingungen welche die Ausloesezeiten abhaengig vom Effektivwert des Fehlerstroms definieren :

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Ausloesekreis fuer selektive und kurzzeitverzoegerte Fehlerstromschutzein- richtungen bei Verwendung eines nanokristallinen Materials im Summen- stromwandler

Idea: Gerald Lehner, DE-Regensburg; Reinhard Schmid, DE-Regensburg

Bei der Anwendung von netzspannungsunabhaengigen Fehlerstromschutzeinrichtungen gewinnen selektive und kurzzeitverzoegerte Geraeteausfuehrungen zunehmend an Bedeutung.

Die selektiven Ausfuehrungen dienen zur Realisierung einer Selektivitaet bezueglich der Fehlerstro- mausloesung, die kurzzeitverzoegerten Geraete realisieren eine hohe Fehlausloesungsfestigkeit ge- genueber transienten Ableitstroemen.

Fuer die selektiven und kurzzeitverzoegerten Geraete gelten entsprechend den nationalen und inter- nationalen Geraetebestimmungen sehr komplexe Ausloesebedingungen welche die Ausloesezeiten abhaengig vom Effektivwert des Fehlerstroms definieren :

- Selektive Geraete (ta ist dabei die Ausloesezeit in mSek)

1 x n

I[g68]

bei Wechselfehlerstr. bzw. 1,4 x n

I[g68]

bei pulsierendem Gleichfehlerstr.: 130< ta <500

2 x n

I[g68]

bei Wechselfehlerstr. bzw. 2,8 x n

I[g68]

bei pulsierendem Gleichfehlerstr.: 60< ta <200

5 x n

I[g68]

bei Wechselfehlerstr. bzw. 7 x n

I[g68]

bei pulsierendem Gleichfehlerstr.: 50< ta <150

500 A bei Wechselfehlerstr. bzw. 1,4 x 500 A bei pulsierendem Gleichfehlerstr.: 40< ta <150

- Kurzzeitverzoegerte Geraete (ta in mSek)

1 x n

I[g68]

bei Wechselfehlerstr. bzw. 1,4 x n

I[g68]

bei pulsierendem Gleichfehlerstr.: 10< ta <300

2 x n

I[g68]

bei Wechselfehlerstr. bzw. 2,8 x n

I[g68]

bei pulsierendem Gleichfehlerstr.: 10< ta <150

5 x n

I[g68]

bei Wechselfehlerstr. bzw. 7 x n

I[g68]

bei pulsierendem Gleichfehlerstr.: 10< ta <40

500 A bei Wechselfehlerstr. bzw. 1,4 x 500 A bei pulsierendem Gleichfehlerstr.: 10< ta <40

In diesen selektiven und kurzzeitverzoegerten Geraeteausfuehrungen kommen zunehmend Summen- stromwandler aus nanokristallinem Material zum Einsatz.

Diese nanokristallinen Materialien bieten den Herstellern der Fehlerstromschutzeinrichtungen neben hervorragenden technischen Eigenschaften auch noch zukuenftig den hohen Eisenanteil in der Legie- rung und die niedrigen Gluehtemperaturen die hoechsten Kostensenkungspotentiale.

Aufgabe ist es nun selektive und kurzzeitverzoegerte Ausloesekreise zu realisieren, bei denen na- nokristalline Summenstromwandler zum...