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Ansteuerung des Ausschaltdepletion für PROFETs

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017030D
Original Publication Date: 1999-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22
Document File: 2 page(s) / 16K

Publishing Venue

Siemens

Related People

Axel Christoph: AUTHOR

Abstract

Bei den bekannten Ansteuerschaltungen des Ausschalt-Depletiontransistors bei PROFETs wird der Depletion-Transistor erst ausgeschaltet, wenn die Gatespannung 5V unter den Spannungswert der Versorgungsspannung V BB gesunken ist. Außerdem wird durch die bekannten Ansteuerschaltungen im ausgeschalteten Zustand am Ausgangspin des Leistungstransistors ein Ruhestrom geliefert. Mit der in der Figur skizzierten neuartigen Ansteuerschaltung wird der Depletiontransistor M 8 bereits früher abgeschaltet. Es entsteht zudem kein Ruhestrom. Wird die in der Figur dargestellte Schaltungsanordnung eingeschaltet, wird der Transistor M 1 leitend und „gaus“ wird mit dem Bezugspotential verbunden, sobald die Spannung etwas über der Einsatzspannung des Transistors M 2 liegt. Auch das Bulk des Transistors M 5 kann auf „gaus“ gelegt werden (gestrichelte Linie). Der Transistor M 5 schürt somit bereits 2V über GND ab.

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Bauelemente

Ansteuerung des Ausschaltdepletion für PROFETs

Idee: Axel Christoph, Villach (Österreich)

Bei den bekannten Ansteuerschaltungen des Ausschalt-Depletiontransistors bei PROFETswird der Depletion-Transistor erst ausgeschaltet, wenn die Gatespannung 5V unter denSpannungswert der Versorgungsspannung V BB� gesunken ist. Außerdem wird durch diebekannten Ansteuerschaltungen im ausgeschalteten Zustand am Ausgangspin desLeistungstransistors ein Ruhestrom geliefert.

Mit der in der Figur skizzierten neuartigen Ansteuerschaltung wird der DepletiontransistorM 8� bereits früher abgeschaltet. Es entsteht zudem kein Ruhestrom. Wird die in der Figurdargestellte Schaltungsanordnung eingeschaltet, wird der Transistor M 1� leitend und „gaus“wird mit dem Bezugspotential verbunden, sobald die Spannung etwas über derEinsatzspannung des Transistors M 2� liegt. Auch das Bulk des Transistors M 5� kann auf„gaus“ gelegt werden (gestrichelte Linie). Der Transistor M 5� schürt somit bereits 2V überGND ab.

Beim Ausschaltvorgang wird „gaus“ über den Transistor M 3� auf den Ausgang desLeistungstransistors gezogen. Der Transistor M 5� leitet und das Gate desLeistungstransistors entläd sich über die Transistoren M 7� und M 5 . Durch den Transistor M 2wird ein induktives Ausschalten ermöglicht (Gate und Source des Leistungstransistorssinken unter das Bezugspotential ab).

Siemens Technik Report

Jahrgang 2� Nr. 4� Juli 1999

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Figur

Ein-Quer

M 6

base1

N 1

D 1

M 7

M 8

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