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Abscheidung eines Siliziumnitrid Liners als Teilschritt einer phosphordotierten Oxid Abscheidung in einer High Density Plasma Abscheidekammer

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017036D
Original Publication Date: 1999-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22
Document File: 2 page(s) / 15K

Publishing Venue

Siemens

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Uwe Schilling: AUTHOR [+4]

Abstract

Bei der Prozessierung integrierter Schaltkreise kann das Erfordernis entstehen, die in verschiedenen Prozeßschritten aufzubringenden Funktionsschichten gegeneinander zu isolieren. So muß z.B. bei der Herstellung eines Transistors in Form eines integrierten Schaltkreises vor der Abscheidung einer Schicht phosphordotierten Oxids der Gate-Stack des Transistors ganzflächig mit einer schützenden Siliziumnitrid-Schicht bedeckt werden. Es sind Verfahren bekannt, die das Abscheiden dieser Siliziumnitrid-Schicht, die als Diffusionsbarriere zwischen Gate-Elektrode und Oxid-Schicht dient, als separaten Prozeßschritt in einem speziellen Ofen vornehmen. Die Abscheidung der phosphordotierten Oxid-Schicht erfolgt anschließend in Form eines weiteren Prozeßschrittes in einer HDP- Kammer ( H igh- D ensity- P lasma). Dieses Vorgehen ist aufgrund der langen Prozeßdauer (Siliziumnitrid-Abscheidung bei Losgröße von 25 Wafern 5 Stunden, Oxidabscheidung 1-2 Stunden, Handling und Transport zwischen den Prozeßstationen 2 Stunden) sehr zeitaufwendig.

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Bauelemente

Abscheidung eines Siliziumnitrid Liners als Teilschritt einerphosphordotierten Oxid Abscheidung in einer High Density PlasmaAbscheidekammer

Idee: Uwe Schilling, Dresden; Hans-Peter Sperlich, Dresden;

Alexander Hausmann, Dresden; Jörg Radecker, Dresden

Bei der Prozessierung integrierter Schaltkreise kann das Erfordernis entstehen, die inverschiedenen Prozeßschritten aufzubringenden Funktionsschichten gegeneinander zuisolieren. So muß z.B. bei der Herstellung eines Transistors in Form eines integriertenSchaltkreises vor der Abscheidung einer Schicht phosphordotierten Oxids der Gate-Stackdes Transistors ganzflächig mit einer schützenden Siliziumnitrid-Schicht bedeckt werden.

Es sind Verfahren bekannt, die das Abscheiden dieser Siliziumnitrid-Schicht, die alsDiffusionsbarriere zwischen Gate-Elektrode und Oxid-Schicht dient, als separatenProzeßschritt in einem speziellen Ofen vornehmen. Die Abscheidung der phosphordotiertenOxid-Schicht erfolgt anschließend in Form eines weiteren Prozeßschrittes in einer HDP-Kammer ( H igh- D ensity- P lasma). Dieses Vorgehen ist aufgrund der langen Prozeßdauer(Siliziumnitrid-Abscheidung bei Losgröße von 25 Wafern 5 Stunden, Oxidabscheidung 1-2Stunden, Handling und Transport zwischen den Prozeßstationen 2 Stunden) sehrzeitaufwendig.

Der beschriebene Zeitaufwand läßt sich jedoch reduzieren, indem beide Prozeßschritte nichtseparat, sondern integriert ausgeführt werden. Das kann dadurch erreicht werden, daß dieSili...