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Abscheidung eines Siliziumnitrid Liners als Teilschritt einer Shallow Trench Isolation Abscheidung in einer High Density Plasma Abscheidekammer

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017037D
Original Publication Date: 1999-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22
Document File: 2 page(s) / 17K

Publishing Venue

Siemens

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Uwe Schilling: AUTHOR [+3]

Abstract

Da sich die Abmessung integrierter Schaltkreise (IC) immer mehr verringern, werden diese auch immer dichter zueinander positioniert. Um die Funktionsfähigkeit der einzelnen integrierten Schaltungseinheiten eines IC zu garantieren, dürfen sich diese nicht gegenseitig beeinflussen. Dies wird im allgemeinen dadurch erreicht, daß die einzelnen integrierten Schaltungseinheiten gegeneinander isoliert werden. Eine mögliche Isolationsmöglichkeit besteht in der Erstellung sogenannter STI-Gräben ( S hallow T rench I solation), die in das jeweilige Substrat geätzt und mit einem isolierenden Material (z.B. ein Oxid) gefüllt werden.

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Bauelemente

Abscheidung eines Siliziumnitrid Liners als Teilschritt einer ShallowTrench Isolation Abscheidung in einer High Density PlasmaAbscheidekammer

Idee: Uwe Schilling, Dresden; Hans-Peter Sperlich, Dresden;

Alexander Hausmann, Dresden

Da sich die Abmessung integrierter Schaltkreise (IC) immer mehr verringern, werden dieseauch immer dichter zueinander positioniert. Um die Funktionsfähigkeit der einzelnenintegrierten Schaltungseinheiten eines IC zu garantieren, dürfen sich diese nicht gegenseitigbeeinflussen. Dies wird im allgemeinen dadurch erreicht, daß die einzelnen integriertenSchaltungseinheiten gegeneinander isoliert werden. Eine mögliche Isolationsmöglichkeitbesteht in der Erstellung sogenannter STI-Gräben ( S hallow  T rench  I solation), die in dasjeweilige Substrat geätzt und mit einem isolierenden Material (z.B. ein Oxid) gefüllt werden.

Vor der Abscheidung des STI-Oxids wird der jeweilige STI-Graben mit einer dünnenSiliziumnitridschicht ausgekleidet, um eine Aufoxidation des darunterliegenden Siliziumswährend der folgenden Ofenprozesse zu vermeiden.

Bei den bekannten Herstellungsverfahren sind zur Abscheidung des Siliziumnitrids und desSTI-Oxids zwei separate Prozeßschritte notwendig. Das Siliziumnitrid wird während einesetwa 5 Stunden (bei einer Losgröße von 25 Wafern) dauernden Prozeßschrittes in einemOfen abgeschieden. Anschließend erfolgt die Oxidabscheidung in einer HDP-Kammer ( H ighD ensity  P lasma), wofür bei gleicher Losgrö...