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Strombegrenzung zur unterschiedlichen Belastung von Ladungspumpe und Gleichrichter bei High-Side-Schaltern

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017071D
Original Publication Date: 1999-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22
Document File: 2 page(s) / 16K

Publishing Venue

Siemens

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Axel Christoph: AUTHOR

Abstract

Bei den üblichen für High-Side-Schalter eingesetzten Strombegrenzungsschaltungen kommt es über den Schaltungs-Zeitverlauf zu temporären Stromschwankungen, die sich in einem Stromstärke-Zeit-Diagramm als „Nasen“ bemerkbar machen und vor allen Dingen auf zu schwache Ladungspumpen, niedrige Temperaturen und zu große Flankensteigung beim Einschaltvorgang zurückzuführen sind.

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Bauelemente

Strombegrenzung zur unterschiedlichen Belastung von Ladungspumpeund Gleichrichter bei High-Side-Schaltern

Idee: Axel Christoph, Villach (Österreich)

Bei den üblichen für High-Side-Schalter eingesetzten Strombegrenzungsschaltungen kommt esüber den Schaltungs-Zeitverlauf zu temporären Stromschwankungen, die sich in einemStromstärke-Zeit-Diagramm als „Nasen“ bemerkbar machen und vor allen Dingen auf zuschwache Ladungspumpen, niedrige Temperaturen und zu große Flankensteigung beimEinschaltvorgang zurückzuführen sind.

Das Auftreten der beschiebenen temporären Stromschwankungen kann durch die in der Figurschematisch dargestellten Stombegrenzungsschaltung dadurch verhindert werden, daß inAbhängigkeit von Einsatz- und Flußspannung die Arbeitsbereiche der Schaltung unterschiedenwerden und damit die Schaltung gesteuert wird.

Ziel der Schaltung ist es, die beiden Arbeitsbereiche unterschiedlich zu belasten. Bis zurEinsatzspannung der MOS-Diode M 1  begrenzt nur der schwache Zweig über M sbb  das gate_ltrund somit den Ausgangsstrom des Leistungstransistors (LTR). Ist die Einsatzspannung der MOS-Diode M 1  erreicht, beginnt auch der Zweig über den Transistor M sbb1  zu öffnen. EineFeineinstellung kann über M 2  durchgeführt werden. Die Einsatzspannung des Transistors M 1  odereiner MOS-Diodenkette muß entsprechend eingestellt werden. Der zweite Arbeitsbereich, in demder Bipolartransistor N 1  den Strom liefert, wird entsprechend stärker belastet....