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Testverfahren „non volatile memories“ unter Ausnutzung des Herstellungsprozesses

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017144D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22
Document File: 1 page(s) / 17K

Publishing Venue

Siemens

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Udo Hartmann: AUTHOR [+2]

Abstract

Zur Überprüfung der Funktionsfähigkeit von Speicherzellen eines ferroelektrischen Halbleiterspeichers (FeRAM), ist es üblich diesen nach dem Herstellungsprozeß unter Einfluß unterschiedlicher Störgrößen (z.B. Temperatur) zu testen. Das erfordert neben zusätzlichem Zeitaufwand vor allen Dingen auch aufwendiges Testequipment. Um diesen zusätzliche Aufwand einzusparen, wird nachfolgend ein Testverfahren beschrieben, das in den Herstellungsprozeß integriert ist und die dabei auftretenden Randbedingungen als Störgrößen nutzt.

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Bauelemente

Testverfahren „non volatile memories“ unter Ausnutzung desHerstellungsprozesses

Idee: Udo Hartmann, München; Hermann Haas, Höhenkirchen

Zur Überprüfung der Funktionsfähigkeit von Speicherzellen eines ferroelektrischenHalbleiterspeichers (FeRAM), ist es üblich diesen nach dem Herstellungsprozeß unterEinfluß unterschiedlicher Störgrößen (z.B. Temperatur) zu testen. Das erfordert nebenzusätzlichem Zeitaufwand vor allen Dingen auch aufwendiges Testequipment. Um diesenzusätzliche Aufwand einzusparen, wird nachfolgend ein Testverfahren beschrieben, das inden Herstellungsprozeß integriert ist und die dabei auftretenden Randbedingungen alsStörgrößen nutzt.

Sofern der ferroelektrische Kondensator, z.B. nach Bildung der common plate (CP),fertiggestellt ist, kann mit dem Speichern der Testdaten begonnen werden. Dazu werdenlogische Testdaten in die einzelnen Speicherzellen (Kondensatoren) eingeschrieben. Nachdem Schreiben der Testdaten wird der Halbleiterspeicher ganz normal weiter hergestellt,und die Testdaten nach Ende des Fertigungsprozesses ausgelesen. Somit wird derFertigungsprozeß selbst als Störgröße ausgenutzt. Um Datenverluste während derabschließenden Herstellung zu verhindern, muß die Temperatur unter der Curie-Temperaturdes verwendeten Ferroelektrikums (z.B. 300°C) liegen. Die Funktionsfähigkeit desHalbleiterspeichers kann abschließend mit einem Vergleich der geschriebenen und der amEnde des Fertigungsprozesses ausgelesenen T...