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Plasmachemische Kammerreinigung mit optischem Endpunkt

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017146D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22
Document File: 2 page(s) / 16K

Publishing Venue

Siemens

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Peter Hagemeyer: AUTHOR

Abstract

Plasmaätzprozesse erzeugen je nach Prozeßführung und nach den zu ätzenden Materialien Abprodukte, die durch ihre Ablagerung in der Prozeßkammer zu unerwünschten Effekten führen. Neben der Generation von Partikeln, die den zu prozessierenden Wafer unbrauchbar machen können, ist insbesondere die Bildung von Filmen an Kammerwänden und Kammerfenstern kritisch, da diese z.B. bei optischen Endpunktsystemen eine erhöhte Dämpfung verursachen und so das Equipment in relativ kurzer Zeit unbrauchbar machen können.

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Bauelemente

Plasmachemische Kammerreinigung mit optischem Endpunkt

Idee: Peter Hagemeyer, Dresden

Plasmaätzprozesse erzeugen je nach Prozeßführung und nach den zu ätzenden MaterialienAbprodukte, die durch ihre Ablagerung in der Prozeßkammer zu unerwünschten Effektenführen. Neben der Generation von Partikeln, die den zu prozessierenden Wafer unbrauchbarmachen können, ist insbesondere die Bildung von Filmen an Kammerwänden undKammerfenstern kritisch, da diese z.B. bei optischen Endpunktsystemen eine erhöhteDämpfung verursachen und so das Equipment in relativ kurzer Zeit unbrauchbar machenkönnen.

Um eine hohe Wafer to Wafer- und Lot to Lot-Uniformity zu erreichen, kann das folgendvorgestellte Verfahren angewandt werden, daß immer gleiche Prozeßbedingungen garantiertund zudem die Lebensdauer des Equipments wirksam erhöht.

Bei den bekannten Reinigungs-Verfahren wird in bestimmten Intervallen eine Reinigung derPlasmakammer mit Festzeit durchgeführt, die sich jedoch nicht auf den aktuellenVerunreinigungsgrad der Plasmakammer orientiert. Das kann dazu führen, daß nicht alleVerunreinigungen beseitigt werden, oder daß die Verunreinigung schon nach der Hälfte derfesten Prozeßzeit entfernt ist und danach das Equipment selbst angegriffen wird.

Abweichend von diesem bekannten Vorgehen wird die Nutzung eines optischen Endpunkt-Signals zur aktiven Steuerung des Plasmakammer-Reinigungsprozesses vorgeschlagen, sodaß der Reinigungsprozeß exakt dann gestoppt werden kann, wenn ein optimalesReinigungsergebnis erzielt worden ist. Durch die Endpunkt-Erkennung wird also ein Unter-oder Überreinigung der Plasmakammer wirksam verhindert.

Als optisches Endpunkt-Signal wird eine Wellenlänge vorgeschlagen, die sich aus derSummenlinie der Abpr...