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Messung von sphärischen Linsen-Aberrationen mittels chromloser Phasenmaske für die lithographische Halbleiterfertigung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017149D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22
Document File: 2 page(s) / 25K

Publishing Venue

Siemens

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Günther Czech: AUTHOR [+3]

Abstract

Die wesentliche Vorgehensweise in einem Halbleiterprozeß besteht in dem partiellen Belichten einer vorher mit einem Photolack benetzen Oberfläche, so daß im Ergebnis eine bestimmte, durch eine Belichtungsmaske determinierte Struktur freigelegt wird, die dann dotiert, geätzt oder sonstwie bearbeitet wird. Da sehr hohe Anforderungen an die Genauigkeit der erzeugten Strukturen gestellt werden, ist insbesondere darauf zu achten, daß es zu keinen Abbildungsfehlern bei der Abbildung der Belichtungsmaske kommt. Die bekannten Verfahren zur Bewertung symmetrischer und unsymmetrischer Aberration (Abbildungsfehler) erfordern einen separaten Test der entsprechen Linse, der erstens die Auswirkungen der Aberration nur simuliert und zweitens im installierten Zustand des Belichtungsequipments nicht durchgeführt werden kann.

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Bauelemente

Messung von sphärischen Linsen-Aberrationen mittels chromloserPhasenmaske für die lithographische Halbleiterfertigung

Idee: Günther Czech, Langebrück; Dr. Carsten Fülber, Dresden; Thomas Zell, Dresden

Die wesentliche Vorgehensweise in einem Halbleiterprozeß besteht in dem partiellenBelichten einer vorher mit einem Photolack benetzen Oberfläche, so daß im Ergebnis einebestimmte, durch eine Belichtungsmaske determinierte Struktur freigelegt wird, die danndotiert, geätzt oder sonstwie bearbeitet wird. Da sehr hohe Anforderungen an dieGenauigkeit der erzeugten Strukturen gestellt werden, ist insbesondere darauf zu achten,daß es zu keinen Abbildungsfehlern bei der Abbildung der Belichtungsmaske kommt. Diebekannten Verfahren zur Bewertung symmetrischer und unsymmetrischer Aberration(Abbildungsfehler) erfordern einen separaten Test der entsprechen Linse, der erstens dieAuswirkungen der Aberration nur simuliert und zweitens im installierten Zustand desBelichtungsequipments nicht durchgeführt werden kann.

Zur Bestimmung der Linsen-Aberration im installierten Zustand des Belichtungsequipmentswird daher das folgend beschriebene Verfahren vorgeschlagen, welches direkteRückschlüsse auf die Linsen-Aberration zuläßt. Ausgangspunkt ist ein isolierterPhasensprung einer chromlosen Phasenmaske (vgl. Fig. 1). Die Abbildung dieser Strukturim Belichtungsequipment liefert als Funktion der Dosis eine Resistbahn, mit einer gewissenBreite, die als kritische Dimension bezeichnet wird (CD =  C ritical  D imension). Als Funktionder Dosis und des Fokus variiert diese Strukturbreite in charakteristischer Weise. DieDarstellung der gemessenen Strukturbreite in Abhängigkeit von Dosis und Fokuseinstellungwird als Bossungplot bezeichnet. Es gilt nun, daß in erster Näherung die Änderung des CDWertes mit dem Fokus (S := (? CD) / (? focus)) linear von den symmetrischen Aberrationenabhängt. Unter Ausnutzung dieser Tatsache wird daher vorgeschlagen die mittels einerchromlosen Phasenmaske erzeugte isolierte Struktur (S := (? CD) / (? focus)) zurBestimmung der Linsen-Aberration zu verwenden. Der beschriebene Zusammenhang läßtsich vorteilhaft ohne größeren Aufwand...