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Integrierte ONO/Poly-Ätzung auf einer „high density“-Plasmaätzanlage

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017153D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22
Document File: 1 page(s) / 16K

Publishing Venue

Siemens

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Peter Hagemeyer: AUTHOR

Abstract

Bei der Herstellung von Halbleiterspeichern (z.B. Flash-Speicher) sind zur Strukturierung von sogenannten Sandwich-Gates verschiedene Prozeßschritte notwendig, die bisher auf unterschiedlichen Fertigungsanlagen nacheinander abgearbeitet werden mußten. Im wesentlichen handelt es sich dabei um die Ätzung der ONO- (Oxid-Nitrid-Oxid) und der Poly-Schichten. Folgend wird eine die verschiedenen Prozeßschritte integrierende Prozessierung beschrieben, dessen einzelne Prozeßschritte in der untenstehenden Tabelle für eine Applied Materials Plasmaätzkammer beispielhaft dargestellt sind. Die kombinierte Prozessierung der ONO- und der Poly-Schichten wird in einer „high density“ Plasmaätzanlage dadurch ermöglicht, daß die ONO-Schichten mit CF 4 /Ar und die Polyschicht mit Cl 2 /HBr geätzt wird. Durch ein solches Vorgehen können vorteilhaft Durchlaufzeiten verringert und bisher benötigte Anlagenkapzitäten freigesetzt werden.

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Bauelemente

Integrierte ONO/Poly-Ätzung auf einer „high density“-Plasmaätzanlage

Idee: Peter Hagemeyer, Dresden

Bei der Herstellung von Halbleiterspeichern (z.B. Flash-Speicher) sind zur Strukturierungvon sogenannten Sandwich-Gates verschiedene Prozeßschritte notwendig, die bisher aufunterschiedlichen Fertigungsanlagen nacheinander abgearbeitet werden mußten. Imwesentlichen handelt es sich dabei um die Ätzung der ONO- (Oxid-Nitrid-Oxid) und derPoly-Schichten. Folgend wird eine die verschiedenen Prozeßschritte integrierendeProzessierung beschrieben, dessen einzelne Prozeßschritte in der untenstehenden Tabelle füreine Applied Materials Plasmaätzkammer beispielhaft dargestellt sind.

Die kombinierte Prozessierung der ONO- und der Poly-Schichten wird in einer „highdensity“ Plasmaätzanlage dadurch ermöglicht, daß die ONO-Schichten mit CF 4 /Ar und diePolyschicht mit Cl 2 /HBr geätzt wird. Durch ein solches Vorgehen können vorteilhaftDurchlaufzeiten verringert und bisher benötigte Anlagenkapzitäten freigesetzt werden.

Prozeßbeispiel:

Bei der Herstellung von Halbleiterspeichern (z.B. Flash-Speicher) sind zur Strukturierungvon sogenannten Sandwich-Gates verschiedene Prozeßschritte notwendig, die bisher aufunterschiedlichen Fertigungsanlagen nacheinander abgearbeitet werden mußten. Imwesentlichen handelt es sich dabei um die Ätzung der ONO- (Oxid-Nitrid-Oxid) und derPoly-Schichten. Folgend wird eine die verschiedenen Prozeßschritte integrierendeProz...