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High Density Silicon-ROM mit vertikalem Transistor

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017165D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22
Document File: 1 page(s) / 15K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Franz Hofmann: AUTHOR [+2]

Abstract

Die Programmierung von ROMs ( R ead O nly M emory), deren Speicherzellen aus Seitenwandtransistoren, d. h. als Feldeffekttransistor, dessen leitender Kanal sich in der Seitenwand eines Grabens oder Stegs ausbildet, aufgebaut sind, erfolgt üblicherweise derart, daß unter einem definierten Einstrahlungswinkel Bor in Transistorseitenwände implantiert wird. Bei den bekannten Herstellungsverfahren werden hierfür Lackmasken eingesetzt, die die Implantation durch ein schlechtes Aspektverhältnis nachteilig beeinflussen. Zudem besteht die Gefahr, daß schmale, sehr hohe und damit mechanische sehr instabile Lackmaskenbereiche umkippen und damit ihrer Schutzfunktion nicht mehr genügen können. Ein weiteres Problem der bekannten Herstellungsverfahren ist, daß Bor besonders bei filigranen Transistorstrukturen (z.B. Strukturgrößen von 200 nm) von einer Trenchseite zur gegenüberliegenden Trenchseite diffundiert und somit die Einsatzspannung der Transistoren erhöht.

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Bauelemente

High Density Silicon-ROM mit vertikalem Transistor

Idee: Dr. Franz Hofmann, München; Dr. Josef Willer, Riemerling

Die Programmierung von ROMs ( R ead  O nly  M emory), deren Speicherzellen ausSeitenwandtransistoren, d. h. als Feldeffekttransistor, dessen leitender Kanal sich in derSeitenwand eines Grabens oder Stegs ausbildet, aufgebaut sind, erfolgt üblicherweise derart,daß unter einem definierten Einstrahlungswinkel Bor in Transistorseitenwände implantiertwird. Bei den bekannten Herstellungsverfahren werden hierfür Lackmasken eingesetzt, diedie Implantation durch ein schlechtes Aspektverhältnis nachteilig beeinflussen. Zudembesteht die Gefahr, daß schmale, sehr hohe und damit mechanische sehr instabileLackmaskenbereiche umkippen und damit ihrer Schutzfunktion nicht mehr genügen können.Ein weiteres Problem der bekannten Herstellungsverfahren ist, daß Bor besonders beifiligranen Transistorstrukturen (z.B. Strukturgrößen von 200 nm) von einer Trenchseite zurgegenüberliegenden Trenchseite diffundiert und somit die Einsatzspannung der Transistorenerhöht.

Die beschriebenen Nachteile der bekannten Fertigungsverfahren können mit einemneuartigen Fertigungsverfahren umgangen werden, das folgend anhand eines Beispielsbeschrieben wird. Die aufgebrachte Lackmaske wird bis zur Waferoberflächezurückgeschliffen. Da bei der nachfolgenden Belichtung und Entwicklung der Lack ausbestimmten Teilen des Trenches entfernt wird, kann folgend ohne die hohenAspekt...