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ACCUFET mit Schottky-Diode

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017168D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22
Document File: 1 page(s) / 18K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Jenö Tihanyi: AUTHOR

Abstract

Halbleitertransistoren, die ohne den Einsatz von p-dotierten Bereichen niederohmige Trench MOSFETs realisieren, werden üblicherweise als ACCUFET bezeichnet (vgl. Fig. 1). Die bekannten Ausführungsformen dieser Transistoren sind zwar dynamisch sperrbar, weisen aber keine, für MOSFETs typische integrierte, bipolare Reversedioden auf. Da es aber besonders bei getakteten Versorgungen von Induktivitäten (z.B. Elektromotoren) vorteilhaft ist, innerhalb der MOSFET-Strukturen über eine integrierte Schottky-Diode zu verfügen, wird folgend eine modifizierte Halbleiterstruktur vorgeschlagen. Diese modifizierte Halbleiterstruktur weist mindestens einen n-dotierten Source-Bereich auf, der an seiner Oberseite durch eine Schottky-Barriere begrenzt wird. Dieser n + dotierte Bereich kann wahlweise auch als Schottky-Kontakt ausgebildet werden (vgl. Fig. 2).

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Bauelemente

ACCUFET mit Schottky-Diode

Idee: Dr. Jenö Tihanyi, Kirchheim

Halbleitertransistoren, die ohne den Einsatz von p-dotierten Bereichen niederohmige TrenchMOSFETs realisieren, werden üblicherweise als ACCUFET bezeichnet (vgl. Fig.� � 1). Diebekannten Ausführungsformen dieser Transistoren sind zwar dynamisch sperrbar, weisenaber keine, für MOSFETs typische integrierte, bipolare Reversedioden auf. Da es aberbesonders bei getakteten Versorgungen von Induktivitäten (z.B. Elektromotoren)vorteilhaft ist, innerhalb der MOSFET-Strukturen über eine integrierte Schottky-Diode zuverfügen, wird folgend eine modifizierte Halbleiterstruktur vorgeschlagen.

Diese modifizierte Halbleiterstruktur weist mindestens einen n-dotierten Source-Bereichauf, der an seiner Oberseite durch eine Schottky-Barriere begrenzt wird. Dieser n +� dotierteBereich kann wahlweise auch als Schottky-Kontakt ausgebildet werden (vgl. Fig. 2).

Diese auch als Schottky-Finger bezeichneten Bereiche der ACCUFETs realisieren aufgrundder Akkumulationsschicht auf den Seitenwänden bei positiver Gatespannung ebenso eineStromleitung, wie dies bei den FET-Fingern der Fall ist. Werden die anliegenden Polevertauscht, so daß eine negative Gatespannung anliegt, wirkt die Schottky-Diode wie einenormale, sperrende Diode. Die Breite a des Schottky-Fingers sollte vorteilhaft derart kleingewählt werden, daß bereits bei einer relativ geringen positiven Spannung eineLadungsträgerräumung des Drain-Bereichs erfolgt...