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Durchführung des Waferprobings vor der Passivierung der metallischen Padflächen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017215D
Original Publication Date: 2000-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22
Document File: 1 page(s) / 14K

Publishing Venue

Siemens

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Michael Zeitler: AUTHOR [+6]

Abstract

Nach der Fertigstellung von Halbleiterbauelementen werden diese auf wafer-level zunächst getestet. Bei diesem sogenannten Waferprobing-Verfahren können durch die spitzen Probernadeln Schädigungen der Kontaktflächen (Pads) hervorgerufen werden. Hierdurch können insbesondere bei korrosiven und hoch-diffusiven Materialien unerwünschte Effekte auftreten. So kann beispielsweise durch Aufbrechen der Passivierungsschicht über einem Cu-Pad die Korrosion des Kupfers ungehindert fortschreiten. Dies führt zu einer Degradation bzw. zu einem kompletten Ausfall der Bauelemente.

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Bauelemente

Durchführung des Waferprobings vor der Passivierung der metallischenPadflächen

Idee: Michael Zeitler, Schwabmünchen; Axel Königer, München;

Hans-Joachim Barth, München; Rainer Tilgner, München;Karsten Mosig, Villach; Robert Hagen, Barbing

Nach der Fertigstellung von Halbleiterbauelementen werden diese auf wafer-level zunächstgetestet. Bei diesem sogenannten Waferprobing-Verfahren können durch die spitzenProbernadeln Schädigungen der Kontaktflächen (Pads) hervorgerufen werden. Hierdurchkönnen insbesondere bei korrosiven und hoch-diffusiven Materialien unerwünschte Effekteauftreten. So kann beispielsweise durch Aufbrechen der Passivierungsschicht über einemCu-Pad die Korrosion des Kupfers ungehindert fortschreiten. Dies führt zu einerDegradation bzw. zu einem kompletten Ausfall der Bauelemente.

Bisher wurde versucht, möglichst dicke Schutzschichten über den Kupfer-Pads zurealisieren, um ein Durchstoßen der Probernadeln zu verhindern. Verwendet wurdebeispielsweise eine metallische Diffusionsbarriere und eine dicke Al- oder Au-Schicht oderein Schichtpaket aus Diffusionsbarriere – Oxid –Nitrid – Aluminium. Diese Verfahren sindrecht aufwendig und damit kostenintensiv, weil zusätzliche Produktionsschritte nötig sind,zum anderen wird der gewünschte Schutzeffekt nicht immer in vollem Umfang erzielt.

Abweichend vom bisherigen Fertigungsablauf wird vorgeschlagen, das Wafer-Probingbereits vor der Passivierung der metallischen Padfläch...