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Lithographische Herstellung von Kontaktlöchern durch Kombination von Phasenmasken mit CARL

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017287D
Original Publication Date: 2000-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25
Document File: 1 page(s) / 13K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Wilhelm Maurer: AUTHOR

Abstract

Auf die lithographische Herstellung von Kontaktlöchern, deren Abstand zueinander kleiner als der 2-fache Kontaktlochdurchmesser sein soll, wurde bisher entweder verzichtet oder nur unter bestimmten Bedingungen zugelassen, um Kurzschlüsse zu vermeiden. Lediglich Kontaktlöcher, die elektrische Verbindungen mit gleichem Bezugspotential ermöglichen, konnten eng benachbart angeordnet werden, ohne dass eventuelle Kurzschlüsse zwischen ihnen die Funktionsweise der Schaltung gefährdet. Diese Forderungen können durch die damit verbundenen Einschränkungen zu einem erhöhten Flächenbedarf der Schaltung führen. Besonders gilt dieses für die zur Zeit in Entwicklung befindlichen 150nm Technologien und für deren Folgegenerationen. Zur Herstellung von eng benachbarten und gegeneinander ausreichend isolierten Kontaktlöchern wird nachfolgend die Kombination von zwei an sich bekannten Verfahren vorgeschlagen, um den bisher erforderlichen Flächenbedarfs zu verringern:

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Bauelemente

Lithographische Herstellung von Kontaktlöchern durch Kombination vonPhasenmasken mit CARL

Idee: Dr. Wilhelm Maurer, Riemerling

Auf die lithographische Herstellung von Kontaktlöchern, deren Abstand zueinander kleinerals der 2-fache Kontaktlochdurchmesser sein soll, wurde bisher entweder verzichtet odernur unter bestimmten Bedingungen zugelassen, um Kurzschlüsse zu vermeiden. LediglichKontaktlöcher, die elektrische Verbindungen mit gleichem Bezugspotential ermöglichen,konnten eng benachbart angeordnet werden, ohne dass eventuelle Kurzschlüsse zwischenihnen die Funktionsweise der Schaltung gefährdet. Diese Forderungen können durch diedamit verbundenen Einschränkungen zu einem erhöhten Flächenbedarf der Schaltungführen. Besonders gilt dieses für die zur Zeit in Entwicklung befindlichen 150nmTechnologien und für deren Folgegenerationen.

Zur Herstellung von eng benachbarten und gegeneinander ausreichend isoliertenKontaktlöchern wird nachfolgend die Kombination von zwei an sich bekannten Verfahrenvorgeschlagen, um den bisher erforderlichen Flächenbedarfs zu verringern:

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