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Reduzierung der Schwankung der Linienbreite über dem Wafer bei GC Mask Open durch Einsatz eines Silizumringes in einer Applied Materials MxP-Ätzkammer

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017293D
Original Publication Date: 2000-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25
Document File: 2 page(s) / 30K

Publishing Venue

Siemens

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Peter Moll: AUTHOR [+2]

Abstract

Integrierte Schaltungen (z.B. Speicherchips) umfassen eine Vielzahl von einzelnen Bauelementen (z.B. MOS-Transistoren), die genau vorgegebene Bauelementeigenschaften aufweisen müssen. Sofern an sich identische Bauelemente in ihren Eigenschaften stark voneinander abweichen, wird die korrekte Funktionsweise der integrierten Schaltung beeinträchtigt und im ungünstigsten Fall verhindert. Daher muss bei der Herstellung der Bauelemente auf Einhaltung vorgegebener Toleranzen geachtet werden. Als besonders ungünstig hinsichtlich der erzielten Ausbeute haben sich Schwankungen in der Breite des sogenannten Gate-Stacks (GC) herausgestellt, da durch die Breite des Gate-Stacks die Strom- und Spannungscharakteristik der MOS-Transistoren beeinfluss wird. Für die Entstehung dieser Schwankungen sind insbesondere die folgenden Faktoren abhängig: · Los zu Los und Wafer zu Wafer Schwankungen

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Bauelemente

Reduzierung der Schwankung der Linienbreite über dem Wafer bei GCMask Open durch Einsatz eines Silizumringes in einer Applied MaterialsMxP-Ätzkammer

Idee: Peter Moll, Dresden; Dr. Thomas Schuster, Weixdorf

Integrierte Schaltungen (z.B. Speicherchips) umfassen eine Vielzahl von einzelnenBauelementen (z.B. MOS-Transistoren), die genau vorgegebene Bauelementeigenschaftenaufweisen müssen. Sofern an sich identische Bauelemente in ihren Eigenschaften starkvoneinander abweichen, wird die korrekte Funktionsweise der integrierten Schaltungbeeinträchtigt und im ungünstigsten Fall verhindert. Daher muss bei der Herstellung derBauelemente auf Einhaltung vorgegebener Toleranzen geachtet werden.� Als besondersungünstig hinsichtlich� der erzielten Ausbeute haben sich� Schwankungen in der Breite dessogenannten Gate-Stacks (GC) herausgestellt, da durch die Breite des Gate-Stacks� dieStrom- und Spannungscharakteristik der MOS-Transistoren� beeinfluss wird. Für dieEntstehung dieser Schwankungen sind insbesondere die folgenden Faktoren abhängig:

·� � Los zu Los und Wafer zu Wafer Schwankungen

·� � Variationen innerhalb des Belichtungsfeldes

·� � Stepper zu Stepper Schwankungen

·� � Nested isolated Effekt

·� � Gang über die Scheibe

Während durch Stepperdedizierung und neue Lacktechniken (Punkt 1 bis 3)Linienbreitenschwankungen von etwa 20nm erzielt werden, beträgt dieLinienbreitenschwankung, die durch den nested isolated Effekt hervorgerufen wird15-20 nm....