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Verstärkte Auskopplung der Ladung einer Pumpe zur besseren Ausnutzung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017305D
Original Publication Date: 2000-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25
Document File: 2 page(s) / 20K

Publishing Venue

Siemens

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Axel Christoph: AUTHOR

Abstract

Bei den bekannten Ausführungen von High-Side-Schaltern wird die durch die Ladungspumpe erzeugte Ladespannung mit Hilfe einer Zenerdiode begrenzt. Hierdurch wird ein Teil der Ladung in der Zenerdiode abgeleitet, so dass die Ladungspumpe nicht voll ausgenutzt wird. Ziel der folgend vorgeschlagenen neuartigen Lösung ist es daher, die bestehende Ansteuerungsschaltung so zu modifizieren, dass die volle durch die Ladungspumpe gepumpte Spannung auch auf das Gate des Leistungstransisors (LTR) gelangt.

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Energie

Verstärkte Auskopplung der Ladung einer Pumpe zur besserenAusnutzung

Idee: Axel Christoph, A-Villach

Bei den bekannten Ausführungen von High-Side-Schaltern wird die durch dieLadungspumpe erzeugte Ladespannung mit Hilfe einer Zenerdiode begrenzt. Hierdurchwird ein Teil der Ladung in der Zenerdiode abgeleitet, so dass die Ladungspumpe nicht vollausgenutzt wird. Ziel der folgend vorgeschlagenen neuartigen Lösung ist es daher, diebestehende Ansteuerungsschaltung so zu modifizieren, dass die volle durch dieLadungspumpe gepumpte Spannung auch auf das Gate des Leistungstransisors (LTR)gelangt.

Die Stromquelle I lade  bestimmt über die Bipolartransistoren (BIP) auch die slewrate desLTR. Diese BIP-Transistoren sind jedoch die parasitären BIP-Transistoren der MOS-Dioden des RECTIF und können also nicht von diesem entkoppelt werden, so dass sich eineErhöhung über I lade  eingespeisten Stroms verbietet.

Zur Problemlösung wird daher eine von den BIP-Transistoren getrennte Auskopplung derLadung benötigt. Hierfür wird vorgeschlagen, in die bestehende Ansteuerschaltung des LTReine zusätzliche MOS-Diode (M 448 ) einzufügen, deren Bulk auf LTR-Ausgang liegt unddaher keinen entsprechend geschalteten BIP-Transistor aufweist. Durch eine eigeneStromquelle IladeLP kann die gepumpte Ladung bei noch geringen Gate-Source-Spannungendes LTR schnell genug auf das Gate des LTR gebracht werden. Es fließt keine Ladung überden Pfad der Zenerdiode DZ 1  ab.

Somit ergibt si...