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Korrektur von Implantationsmasken bei gewinkelten Implantationen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017358D
Original Publication Date: 2000-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25
Document File: 2 page(s) / 24K

Publishing Venue

Siemens

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Oliver Gehring: AUTHOR [+2]

Abstract

Bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen werden Fremdatome in ein monokristallines Substrat, z. B. Silizium eingebracht, um dessen elektronische Eigenschaften einzustellen. Ein mögliches Verfahren hierfür stellt die Implantation dar, bei der beschleunigte Ionen in einem gebündelten Strahl auf die Substratoberfläche aufgebracht werden. Bei Implantationen, die senkrecht zur Oberfläche ausgeführt werden, tritt z. T. unerwünschtes Channeling auf, d. h. ein Durchrutschen der Implantationsionen zwischen den Gitterebenen des einkristallinen Substrates.

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Bauelemente

Korrektur von Implantationsmasken bei gewinkelten Implantationen

Idee: Oliver Gehring, Dresden; Olaf Heitzsch, Coswig

Bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen werden Fremdatome in einmonokristallines Substrat, z. B. Silizium eingebracht, um dessen elektronischeEigenschaften einzustellen. Ein mögliches Verfahren hierfür stellt die Implantation dar, beider beschleunigte Ionen in einem gebündelten Strahl auf die Substratoberfläche aufgebrachtwerden. Bei Implantationen, die senkrecht zur Oberfläche ausgeführt werden, tritt z. T.unerwünschtes Channeling auf, d. h. ein Durchrutschen der Implantationsionen zwischenden Gitterebenen des einkristallinen Substrates.

Um das Channelling zu vermeiden, wird bisher die Streuung der einschiessenden Ionen amKristallgitter des Substrates bewußt erhöht, z. B. durch Aufbringen von amorphenStreuschichten, die jedoch nach der Implantation möglichst selektiv wieder entfernt werdenmüssen. Diese zusätzlich erforderlichen Schritte erhöhen die Prozesskomplexizität.

Alternativ sind auch gewinkelte Implantationen möglich (Fig. 2), indem die Implantation invier Teilschritte unterteilt wird, wobei der Wafer zwischen den Teilschritten um 90° gedrehtwird und in jedem Teilschritt ¼ der Gesamtdosis implantiert wird. Nachteilig ist hier jedochdie annähernde Vervierfachung der Prozessdauer sowie lateral verwischteImplantationsprofile.

Als neue Methode, die diese Nachteile vermeidet, wird vorgeschlagen, nur noch einegewinkelte Implantation durchzuführen und eine durch den Winkel hervorgerufeneLackabschattung durch lateralen Versatz der Maske zu kompensieren. Partielle Absorptionkann durch Korrektur der Lacköffnung kompensiert werden, z. B. durch eine gezielteVerjustierung der Maske...