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Einmalig beschreibbarer Speicher in DRAM Technologie

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017360D
Original Publication Date: 2000-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25
Document File: 2 page(s) / 15K

Publishing Venue

Siemens

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Oliver Gehring: AUTHOR [+2]

Abstract

Zur Abspeicherung von Daten werden preiswerte Schaltkreise mit geringer Leistungsaufnahme benötigt, die Manipulationen ausschließen und hohe Speicherdichten bieten. Für kommerziellen Erfolg ist eine frühzeitige Lieferbarkeit von Samples und ein möglichst risikoarmes Hochrampen zur Massenproduktion entscheidend. Hierfür bieten sich preiswerte ROMs an, die jedoch den Nachteil haben, dass ihr Dateninhalt schon frühzeitig über Programmiermasken festgelegt werden muss und später nicht mehr korrigierbar ist. Bei geringen Stückzahlen lassen sich die hohen Maskenkosten nur schwer amortisieren.

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Bauelemente

Einmalig beschreibbarer Speicher in DRAM Technologie

Idee: Oliver Gehring, Dresden; Olaf Heitzsch, Coswig

Zur Abspeicherung von Daten werden preiswerte Schaltkreise mit geringerLeistungsaufnahme benötigt, die Manipulationen ausschließen und hohe Speicherdichtenbieten. Für kommerziellen Erfolg ist eine frühzeitige Lieferbarkeit von Samples und einmöglichst risikoarmes Hochrampen zur Massenproduktion entscheidend.

Hierfür bieten sich preiswerte ROMs an, die jedoch den Nachteil haben, dass ihr Dateninhaltschon frühzeitig über Programmiermasken festgelegt werden muss und später nicht mehrkorrigierbar ist. Bei geringen Stückzahlen lassen sich die hohen Maskenkosten nur schweramortisieren.

Bisher eingesetzte nichtflüchtige Speicher mit hoher Dichte sind entweder ROM oder Flash-Speicher.

Mit Flash-Bauelementen lassen sich zwar sehr hohe Speicherdichten erzielen, sie sind jedochwiederbeschreibbar und damit für manche sicherheitskritische Anwendungen nicht geeignet.

Bei Verwendung von ROMs ist zwar ein Schutz der gespeicherten Daten gegenManipulation gegeben, sie erfordern aber eine eigenständige Technologieentwicklung undverursachen dadurch hohe Entwicklungskosten, die nur sich nur bei hohen Stückzahlenamortisieren. Da die Technologiegenerationen schnell aufeinander folgen, lassen sichausreichende Stückzahlen nur selten erzielen.

Bisher gibt es keinen Ansatz, nichtflüchtige und genau einmal programmierbareSpeicherbausteine in geringen Stückzahlen preiswert herzustellen.

Vorgeschlagen wird, nichtflüchtige und genau einmal beschreibbare Speicher in DRAM-Technologie (DRAM-OTP, one time programmable) zu fertigen.

Eine herkömmliche DRAM-Zelle besteht aus einem Kondensator und einem Transistor.Durch Anlegen geeigneter Spannungen kann das Dielektikum des Kondensators bitweisezerstört werden (Antifuse-Konzept), womit eín einmalig beschreibbarer Speicher realisiertwerden kann. Aufgrund der Eingenschaften von DRAMs muß...