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Erzeugung von sublithographischen Strukturen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017375D
Original Publication Date: 2000-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25
Document File: 2 page(s) / 15K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Franz Hofmann: AUTHOR [+3]

Abstract

Sublithographische Strukturen wurden bisher durch isotrope Polysiliziumätzung oder durch kurzzeitiges Veraschen des Fotolacks erzeugt. Da diese Verfahren keinen Ätzstop aufweisen, muss die Kontrolle des Ätzprozesses anhand der Dauer gesteuert werden. Die Genauigkeit der mittels dieser Verfahren erzeugten Strukturen weisst jedoch Defizite auf. Um dieses Problem zu beseitigen, wird ein neues Verfahren vorgeschlagen. Das neue Verfahren nutzt die Selektivität der Nassätzung von hochdotiertem Polysilizium zu undotiertem Polysilizium (S.H. Woo, Symposium on VLSI 1994, p25).

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Industrie

Erzeugung von sublithographischen Strukturen

Idee:� Dr. Franz Hofmann, München; Dr. Johannes Kretz, München;

Martin Franosch, München

Sublithographische Strukturen wurden bisher durch isotrope Polysiliziumätzung oder durchkurzzeitiges Veraschen des Fotolacks erzeugt. Da diese Verfahren keinen Ätzstopaufweisen, muss die Kontrolle des Ätzprozesses anhand der Dauer gesteuert werden. DieGenauigkeit der mittels dieser Verfahren erzeugten Strukturen weisst jedoch Defizite auf.

Um dieses Problem zu beseitigen, wird ein neues Verfahren vorgeschlagen. Das neueVerfahren nutzt die Selektivität der Nassätzung von hochdotiertem Polysilizium zuundotiertem Polysilizium (S.H. Woo, Symposium on VLSI 1994, p25).

Nach der Herstellung des Schichtaufbaus aus Gatematerial, Oxid und Polysilizium (Dickeca. 20nm) erfolgt eine Fototechnik. Danach wird Phosphor mit hoher Dosis (5e15cm -2 )schräg implantiert und der Lack gestrippt. Über den Implantationswinkel kann man dieStrukturverkleinerung einstellen. Nach thermischer Aktivierung des Phosphors bei niedrigerTemperatur wird das mit Phosphor dotierte Polysilizium mit HNO 3 /CH 3 COOH/HF/DIgeätzt. Damit ist die Hartmaske zur Ätzung des Gatematerials fertig gestellt.

Zur Strukturübertragung wird nur eine dünne Polysiliziumschicht benötigt. Die Implantationkann durch sehr dünne (ca. 100nm Dicke) Ebeam-Lacke abgeschattet werden.

Aufbau der

Hardmask

Polysiliziumschicht

Implantation desPhosphor

Oxid

Gate-Material

Aktivierung...