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Optischer Lack-und Polymerdetektor

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017381D
Original Publication Date: 2000-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25
Document File: 2 page(s) / 114K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Stephan Bradl: AUTHOR [+2]

Abstract

Aufgrund der immer kleiner werdenden Halbleiterstrukturen neuerer Halbleiterchips werden an die verwendeten Lithographieverfahren immer höhere Anforderungen gestellt. Ein wesentlicher Punkt bei der Lithographie ist das möglichst restfreie Entfernen des Fotolacks nach erfolgtem Ätzen. Werden die Fotolacke nicht vollständig entfernt, so können diese nachfolgende Prozessabläufe maskieren und/oder diese gänzlich verhindern. Die daher notwendig vollständige Entfernung der Fotolackreste von der Waferoberfläche wird jedoch dadurch erschwert, dass die Fotolacke aufgrund der Einwirkung halogenhaltiger Ätzchemikalien bzw. hoher Implantierungsdosen während eines Ätz- oder Implantationsprozesses unvollständig und nicht vorhersagbar degradiert werden. Um dennoch eine vollständige Entfernung der Lackreste und damit eine sichere Prozessführung zu gewährleisten, wird folgend ein Prozessführungs- und Überwachungsverfahren vorgeschlagen, das die Tatsache ausnutzt, dass die degradierten Fotolacke ausschließlich aus komplexen Kohlenwasserstoffverbindungen (Polymere) bestehen. Diese können mittels Differenzspektroskopie in einem geeigneten Frequenzbereich selbst in kleinsten Mengen nachgewiesen werden.

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Industrie

Optischer Lack- und Polymerdetektor

Idee: Dr. Stephan Bradl, Köfering; Franz Josef Hierl, Maxhütte

Aufgrund der immer kleiner werdenden Halbleiterstrukturen neuerer Halbleiterchips werdenan die verwendeten Lithographieverfahren immer höhere Anforderungen gestellt. Einwesentlicher Punkt bei der Lithographie ist das möglichst restfreie Entfernen des Fotolacksnach erfolgtem Ätzen. Werden die Fotolacke nicht vollständig entfernt, so können diesenachfolgende Prozessabläufe maskieren und/oder diese gänzlich verhindern. Die dahernotwendig vollständige Entfernung der Fotolackreste von der Waferoberfläche wird jedochdadurch erschwert, dass die Fotolacke aufgrund der Einwirkung halogenhaltigerÄtzchemikalien bzw. hoher Implantierungsdosen während eines Ätz- oderImplantationsprozesses unvollständig und nicht vorhersagbar degradiert werden.

Um dennoch eine vollständige Entfernung der Lackreste und damit eine sichereProzessführung zu gewährleisten, wird folgend ein Prozessführungs- undÜberwachungsverfahren vorgeschlagen, das die Tatsache ausnutzt, dass die degradiertenFotolacke ausschließlich aus komplexen Kohlenwasserstoffverbindungen (Polymere)bestehen. Diese können mittels Differenzspektroskopie in einem geeignetenFrequenzbereich selbst in kleinsten Mengen nachgewiesen werden.

Ausgehend von einer sogenannten Nullmessung (anhand eines eindeutig charakterisierten,restefreien Produkt mit definierter Topographie und Topologie) wird im direkten Verglei...