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Nutzung von AA-Dummystrukturen in großflächigen Poly-Poly Kapazitäten zur Homogenisierung des chemisch-mechanischen Polierens

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017692D
Original Publication Date: 2001-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 3 page(s) / 183K

Publishing Venue

Siemens

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Oliver Gehring: AUTHOR [+3]

Abstract

In integrierten Schaltkreisen werden außer Transistoren und Widerständen auch Kapazitäten der unterschiedlichsten Bauformen verwendet. Die meisten Kapazitäten werden mit einer Polysiliziumschicht als erste Elektrode und Gateoxid als Isolator realisiert. Die zweite Elektrode bildet in diesem Falle das Substrat. Diese Kapazitäten haben den Nachteil, daß die Substratelektrode auf ein festes Potential geklemmt ist. Eine andere Art von Kapazität läßt sich durch zwei übereinander angeordnete Polysiliziumschichten mit einem dazwischenliegenden Isolator realisieren. Diese Kapazität liegt dann über einer dicken Oxidschicht, dem STI-Gebiet. Dadurch ist es möglich, beide Kondensatorplatten an beliebige Potentiale anzuschließen. Diese Kondensatoren eignen sich deshalb für Analoganwendungen. Nehmen sie aber eine größere Fläche ein, so kommt es beim STI-CMP-Prozeß zu einem Überpolieren des STI-Oxides. Das kann im Extremfall bis zum STI-Boden reichen. Ein solches Überpolieren kann zu folgenden Fehlern führen:

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Bauelemente

Nutzung von AA-Dummystrukturen in großflächigen Poly-PolyKapazitäten zur Homogenisierung des chemisch-mechanischenPolierens

Idee: Oliver Gehring, Dresden; Mayk Röhrich, Dresden; Stefanie Siegel, München

In integrierten Schaltkreisen werden außer Transistoren und Widerständen auch Kapazitäten derunterschiedlichsten Bauformen verwendet. Die meisten Kapazitäten werden mit einerPolysiliziumschicht als erste Elektrode und Gateoxid als Isolator realisiert. Die zweite Elektrodebildet in diesem Falle das Substrat. Diese Kapazitäten haben den Nachteil, daß dieSubstratelektrode auf ein festes Potential geklemmt ist. Eine andere Art von Kapazität läßt sichdurch zwei übereinander angeordnete Polysiliziumschichten mit einem dazwischenliegendenIsolator realisieren. Diese Kapazität liegt dann über einer dicken Oxidschicht, dem STI-Gebiet.Dadurch ist es möglich, beide Kondensatorplatten an beliebige Potentiale anzuschließen. DieseKondensatoren eignen sich deshalb für Analoganwendungen. Nehmen sie aber eine größereFläche ein, so kommt es beim STI-CMP-Prozeß zu einem Überpolieren des STI-Oxides. Daskann im Extremfall bis zum STI-Boden reichen. Ein solches Überpolieren kann zu folgendenFehlern führen:

·   Kurzschluß der unteren Kondensatorplatten mit dem STI-Boden

·   Auftreten von Fokusproblemen in darüberliegenden Lithographieschritten

·   Erhöhte Defektdichte

·   Beeinflussung von optischen Positionierungssystemen

Für die Kapazitäte...