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Hochvolt-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (HV-JFET) mit p+-Porenfüllung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017713D
Original Publication Date: 2001-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 14K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Volker Lehmann: AUTHOR [+2]

Abstract

Hochvolt-Schalter mit einfacher Technologie zu entwickeln, ist ein aktuelles Themengebiet.

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Industrie

Hochvolt-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (HV-JFET) mitp+-Porenfüllung

Idee: Dr. Volker Lehmann, München; Dr. Jenö Tihanyi, Kirchheim

Hochvolt-Schalter mit einfacher Technologie zu entwickeln, ist ein aktuelles Themengebiet.

Die Erhöhung der Blockierspannung, bei ausreichender Stromtragfähigkeit, wird ermöglicht durchdie Idee von Herrn Oppermann (EP 0 344 514 B1) und die ähnliche US 5,111,254-Lösung, beider in die relativ hochdotierte n-Driftstrecke hochdotierte p+-Gebiete/Fäden eingebracht werden.Diese Fäden erlauben, bei geeigneter Dimensionierung, eine stufenweise Potentialerhöhung imBlockierzustand, bei gleichzeitig hoher n-Dotierung und limitierter Feldstärke. Auch dieHöhenschaltungsempfindlichkeit wird – wie dies angenommen wird – bei dieser Fadenlösungverbessert. Die Herstellung von geeignetem Halbleitermaterial ist zur Zeit nur mit mehrfacherEpitaxie möglich. Zudem ist für hohe Spannungen auch noch eine aufwendige planareRandpassivierung notwendig.

Hiermit wird eine Realisierungsvariante für hochsperrende JFETs vorgeschlagen, welche mitmakroskopischer Technik das Ziel erreicht.

Es werden zuerst Scheiben mit Poren hergestellt, nach der Methode von Herrn Dr. Lehmann DE3717851. Um durchgehende Poren zu erzeugen, kann der Wafer, wie in Patent DE 19820756.5beschrieben, von der Rückseite her geätzt werden.

Aus den Poren wird eine gleichmässige n-Dotierung ausdiffundiert. Danach werden diePorenwände mit einer p+-Schicht belegt. Di...