Browse Prior Art Database

Halo-Implants als LDDs von I/Os und Analogdevices

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017787D
Original Publication Date: 2001-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 14K

Publishing Venue

Siemens

Related People

Dr. Helmut Wurzer: AUTHOR [+2]

Abstract

Neben Standardtransistoren besteht der Bedarf nach anologfähigen Transistoren und speziellen I/O Transistoren mit erhöhter Versorgungsspanung. Standardtransistoren bestehen derzeit aus MDDs kombiniert mit Halos (siehe Abb.1), sie weisen bedingt durch (ihre bzgl. LDDs) höhere Dotierung gegenüber den MDDs und Halos ein schlechteres Analogverhalten auf. Des Weiteren haben sie aufgrund ihrer nur eingeschränkten Tauglichkeit für erhöhte Versorgungsspannung nur eine eingeschränkte Lebensdauer. Um zusätzliche Devices wie Analog- und I/O Transistoren zu erzeugen, werden bisher getrennte Lithoebenen und Implantationen einegesetzt. Im einfachsten Fall erfordert dies 4 Lithoebenen und 6 Implantationen.

This text was extracted from an ASCII text file.
This is the abbreviated version, containing approximately 100% of the total text.

- 233 -

Information / Kommunikation

Halo-Implants als LDDs von I/Os und Analogdevices

Idee: Dr. Helmut Wurzer, Dresden; Karl-Heinz Gebhardt, Dresden

Neben Standardtransistoren besteht der Bedarf nach anologfähigen Transistoren und speziellenI/O Transistoren mit erhöhter Versorgungsspanung. Standardtransistoren bestehen derzeit ausMDDs kombiniert mit Halos (siehe Abb.1), sie weisen bedingt durch (ihre bzgl. LDDs) höhereDotierung gegenüber den MDDs und Halos ein schlechteres Analogverhalten auf. Des Weiterenhaben sie aufgrund ihrer nur eingeschränkten Tauglichkeit für erhöhte Versorgungsspannung nureine eingeschränkte Lebensdauer.

Um zusätzliche Devices wie Analog- und I/O Transistoren zu erzeugen, werden bisher getrennteLithoebenen und Implantationen einegesetzt. Im einfachsten Fall erfordert dies 4 Lithoebenen und6 Implantationen.

Es wird vorgeschlagen die Halos als LDDs für die analogfähigen und I/O Transistoren zuverwenden.

Die Verknüpfung der verschiedenen Layer und deren Implants ermöglicht 2 Implantationeneinzusparen. Gleichzeitig weisen die Halo Implants als LDDs für die Analog- und I/O Devices einverbessertes Lebensdauerverhalten auf. Die verbesserte Lebensdauer ist dadurch bedingt, dass inder modifizierten Version der Kanalstrom und somit die Hotcarrier nicht so nah an derOberfläche fliessen wie in der herkömmlichen Bauweise.

Abb.1

S/D Extension

Source/Drain

Gate

P

N+

Halo Implants

RetrogradeWell

Siemens Technik Report

Jahrgang 4� Nr. 12� Juli 2001