Browse Prior Art Database

Nasschemisches Strukturieren von Bleizirkonattitanat (PZT) ohne Photolithographieschritt

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017799D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 211K

Publishing Venue

Siemens

Related People

Rainer Bruchhaus: AUTHOR [+4]

Abstract

Ferroelektrische Kondensatoren werden beispielswei- se in pyroelektrischen Strahlungssensoren, nicht- flüchtigen Speicheranwendungen oder mikromecha- nischen Systemen eingesetzt. Eine einfache Realisie- rung eines ferroelektrischen Kondensators in Dünn- schichtbauweise ist schematisch in Abbildung 1 dar- gestellt. Der Kondensator besteht aus einer ersten Elektrodenschicht (Bottomelektrode, BE), einer zweiten Elektrodenschicht (Topelektrode, TE) und einer zwischen den Elektroden angeordneten Schicht aus Bleizirkonattitanat (Pb(Zr,Ti)O 3 )-Schicht (PZT- Film). Die Elektrodenschichten bestehen aus Platin. Der Kondensator ist auf einer SiO 2 -Schicht eines Silizium-Wafers aufgebracht.

This text was extracted from an ASCII text file.
This is the abbreviated version, containing approximately 53% of the total text.

Nasschemisches Strukturieren vonBleizirkonattitanat (PZT) ohnePhotolithographieschritt

Bauelemente

Idee: Rainer Bruchhaus, JP- Yokohama;

Dana Pitzer, Unterschleißheim;Robert Primig, München;Matthias Schreiter, München

Ferroelektrische Kondensatoren werden beispielswei-se in pyroelektrischen Strahlungssensoren, nicht-flüchtigen Speicheranwendungen  oder  mikromecha-nischen Systemen eingesetzt. Eine einfache Realisie-rung eines ferroelektrischen Kondensators in Dünn-schichtbauweise ist schematisch in Abbildung 1 dar-gestellt.  Der  Kondensator  besteht  aus  einer  erstenElektrodenschicht (Bottomelektrode, BE), einerzweiten  Elektrodenschicht  (Topelektrode, TE) undeiner zwischen den Elektroden angeordneten Schichtaus  Bleizirkonattitanat  (Pb(Zr,Ti)O 3 )-Schicht  (PZT-Film). Die Elektrodenschichten bestehen aus Platin.Der  Kondensator  ist  auf  einer  SiO 2 -Schicht  einesSilizium-Wafers aufgebracht.

Zur Herstellung des Kondensators werden nach demAbscheiden  der  einzelnen  Schichten  auf  der SiO 2 -Schicht des Silizium-Wafers der Reihe nach die Top-elektrode, die PZT-Schicht und die Bottomelektrodejeweils mit Hilfe eines eigenen Maskenschrittes pho-tolithographisch  strukturiert.  Das  Abscheiden  derSchichten erfolgt üblicherweise durch Sputtern.Struktur,  Textur  und  Phase  mittels  Sputtern herge-stellter dünner PZT-Schichten hängen wesentlich vonder Substratoberfläche ab.

Erfindungsgemäß wird die Bottomelektrode vor demAbscheiden der PZT-Schicht strukturiert. Es resultierteine Substratoberfläche für das Abscheiden der PZT-Schicht mit Oberflächenabschnitten  aus  Platin  undOberflächenabschnitten aus SiO 2 . Auf diesen Ober-flächenabschnitten  wächst  die  PZ...