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Gitter auf der Waferrückseite zur Reduzierung von übersprechenden elektrischen Signalen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017809D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 353K

Publishing Venue

Siemens

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Frank Neugebauer: AUTHOR

Abstract

Mit zunehmender Arbeitsfrequenz und verringerten Strukturbreiten in integrierten Schaltungen werden besondere Maßnahmen zur Gewährleistung der Sig- nalintegrität notwendig, um z. B. das Übersprechen von elektrischen Signalen zu verhindern. Bisher wur- den dazu entweder lokale Einätzungen auf der Wa- fervorderseite vorgenommen oder die gesamte Rück- seite des Wafers abgeschliffen. Durch das Abschlei- fen lässt sich zwar die Ausbreitung von elektrischen Feldern im Wafer verringern, jedoch erhöht sich besonders bei großen Waferdurchmessern (300 mm / 8 Zoll) dessen Zerbrechlichkeit.

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Bauelemente

Gitter auf der Waferrückseite zurReduzierung von übersprechendenelektrischen Signalen

Idee: Frank Neugebauer, München

Mit zunehmender  Arbeitsfrequenz  und  verringertenStrukturbreiten  in  integrierten  Schaltungen  werdenbesondere Maßnahmen zur Gewährleistung der Sig-nalintegrität notwendig, um z. B. das Übersprechenvon elektrischen Signalen zu verhindern. Bisher wur-den dazu entweder lokale Einätzungen auf der Wa-fervorderseite vorgenommen oder die gesamte Rück-seite des Wafers abgeschliffen. Durch das Abschlei-fen lässt sich zwar die Ausbreitung von elektrischenFeldern  im  Wafer  verringern,  jedoch  erhöht sichbesonders bei großen Waferdurchmessern (300 mm /8 Zoll) dessen Zerbrechlichkeit.

Um die Ausbreitung von unerwünschten elektrischenFeldern zu reduzieren ohne die Zerbrechlichkeit imgleichen  Maße  wie  beim  Abschleifen  zu erhöhen,wird vorgeschlagen, eine Gitterstruktur z. B. durchEinätzen  auf  der  Waferrückseite  aufzubringen unddiese zu metallisieren.  Besonders  bei  höheren  Fre-quenzen  kann  das  Gitter  die unerwünschte Ausbil-dung einer Welle über dem Halbleitersubstrat  effek-tiv vermindern, wenn die Gitterkonstante wesentlichkleiner als die Wellenlänge eines elektrischen Signalsist.

Abbildung 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfin-dung

Abbildung 1

sein,

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