Browse Prior Art Database

Gitter auf der Waferrückseite zur Reduzierung von übersprechenden elektrischen Signalen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017809D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 353K

Publishing Venue

Siemens

Related People

Frank Neugebauer: AUTHOR

Abstract

Mit zunehmender Arbeitsfrequenz und verringerten Strukturbreiten in integrierten Schaltungen werden besondere Maßnahmen zur Gewährleistung der Sig- nalintegrität notwendig, um z. B. das Übersprechen von elektrischen Signalen zu verhindern. Bisher wur- den dazu entweder lokale Einätzungen auf der Wa- fervorderseite vorgenommen oder die gesamte Rück- seite des Wafers abgeschliffen. Durch das Abschlei- fen lässt sich zwar die Ausbreitung von elektrischen Feldern im Wafer verringern, jedoch erhöht sich besonders bei großen Waferdurchmessern (300 mm / 8 Zoll) dessen Zerbrechlichkeit. Um die Ausbreitung von unerwünschten elektrischen Feldern zu reduzieren ohne die Zerbrechlichkeit im gleichen Maße wie beim Abschleifen zu erhöhen, wird vorgeschlagen, eine Gitterstruktur z. B. durch Einätzen auf der Waferrückseite aufzubringen und diese zu metallisieren. Besonders bei höheren Fre- quenzen kann das Gitter die unerwünschte Ausbil- dung einer Welle über dem Halbleitersubstrat effek- tiv vermindern, wenn die Gitterkonstante wesentlich kleiner als die Wellenlänge eines elektrischen Signals ist.

This text was extracted from an ASCII text file.
This is the abbreviated version, containing approximately 100% of the total text.

Bauelemente

Gitter auf der Waferrückseite zurReduzierung von übersprechendenelektrischen Signalen

Idee: Frank Neugebauer, München

Mit zunehmender� Arbeitsfrequenz� und� verringertenStrukturbreiten� in� integrierten� Schaltungen� werdenbesondere Maßnahmen zur Gewährleistung der Sig-nalintegrität notwendig, um z. B. das Übersprechenvon elektrischen Signalen zu verhindern. Bisher wur-den dazu entweder lokale Einätzungen auf der Wa-fervorderseite vorgenommen oder die gesamte Rück-seite des Wafers abgeschliffen. Durch das Abschlei-fen lässt sich zwar die Ausbreitung von elektrischenFeldern� im� Wafer� verringern,� jedoch� erhöht sichbesonders bei großen Waferdurchmessern (300 mm /8 Zoll) dessen Zerbrechlichkeit.

Um die Ausbreitung von unerwünschten elektrischenFeldern zu reduzieren ohne die Zerbrechlichkeit imgleichen� Maße� wie� beim� Abschleifen� zu erhöhen,wird vorgeschlagen, eine Gitterstruktur z. B. durchEinätzen� auf� der� Waferrückseite� aufzubringen unddiese zu metallisieren.� Besonders� bei� höheren� Fre-quenzen� kann� das� Gitter� die unerwünschte Ausbil-dung einer Welle über dem Halbleitersubstrat� effek-tiv vermindern, wenn die Gitterkonstante wesentlichkleiner als die Wellenlänge eines elektrischen Signalsist.

Abbildung 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfin-dung

Abbildung 1

sein,

11