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Verhinderung der Ausdiffusion von implantierten Se-Atomen mit Deckschichten

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017812D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 147K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Anton Mauder: AUTHOR [+2]

Abstract

Nach der Ionenimplantation von Se kommt es bei einer nachfolgenden Diffusion zu einer Ausdiffusion aus dem Si, die stark von der gewählten Implantati- onsenergie abhängig ist. Das beschriebene Problem tritt nur bei Ionenimplan- tation auf. Bei Diffusion z. B. aus der Gasphase bzw. einer auf die Si-Oberfläche aufgebrachten Schicht als Quelle kann dieser Effekt nicht zum Tragen kommen.

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Bauelemente

Verhinderung der Ausdiffusion vonimplantierten Se-Atomen mit Deck-schichten

Idee: Dr. Anton Mauder, München;

Dr. rer. Nat. Hans-Joachim Schulze, München

Nach� der� Ionenimplantation� von� Se� kommt es beieiner nachfolgenden Diffusion zu einer Ausdiffusionaus dem Si, die stark von der gewählten Implantati-onsenergie abhängig ist.

Das beschriebene Problem tritt nur bei Ionenimplan-tation auf. Bei Diffusion z. B. aus der Gasphase bzw.einer auf die Si-Oberfläche aufgebrachten Schicht alsQuelle kann dieser Effekt nicht zum Tragen kommen.

Eine mögliche� Alternative,� diese� Ausdiffusion� zureduzieren ist, die Implantationsenergie stark zu er-höhen. Nachteilig dabei ist, dass auf üblichenImplantern die maximale Energie im Bereich unter200keV liegt und daher entsprechend aufwändige undteuere Spezialmaschinen verwendet werden müssen.

Eine wirksame Verhinderung der Ausdiffusion durchoxidische� Abdeckschichten� konnte� bisher nicht er-reicht werden, was auch durch die begrenzte Dickeder� verwendeten� Oxide� begründet� wird.� Nach derDiffusion von Se müssen diese Oxide wieder wegge-ätzt werden, um die Metallisierung zu ermöglichen.Werden dicke Oxide zum Abdecken des Si verwen-det, muss die Vorderseite des Chips mit einer Foto-maske versehen werden, damit die darunter liegen-den, elektrisch notwendigen Oxide (z. B. das Zwi-schenoxid bei Transistoren) nicht unzulässig gedünntwerden.

Es� wird� vorgeschlagen,� als Abdeckschichten Si 3 N 4bzw. ein nicht stöchiometrisches Siliziumnitrid bzw...