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Verhinderung der Ausdiffusion von implantierten Se-Atomen mit Deckschichten

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017812D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 147K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Anton Mauder: AUTHOR [+2]

Abstract

Nach der Ionenimplantation von Se kommt es bei einer nachfolgenden Diffusion zu einer Ausdiffusion aus dem Si, die stark von der gewählten Implantati- onsenergie abhängig ist.

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Bauelemente

Verhinderung der Ausdiffusion vonimplantierten Se-Atomen mit Deck-schichten

Idee: Dr. Anton Mauder, München;

Dr. rer. Nat. Hans-Joachim Schulze, München

Nach  der  Ionenimplantation  von  Se  kommt es beieiner nachfolgenden Diffusion zu einer Ausdiffusionaus dem Si, die stark von der gewählten Implantati-onsenergie abhängig ist.

Das beschriebene Problem tritt nur bei Ionenimplan-tation auf. Bei Diffusion z. B. aus der Gasphase bzw.einer auf die Si-Oberfläche aufgebrachten Schicht alsQuelle kann dieser Effekt nicht zum Tragen kommen.

Eine mögliche  Alternative,  diese  Ausdiffusion  zureduzieren ist, die Implantationsenergie stark zu er-höhen. Nachteilig dabei ist, dass auf üblichenImplantern die maximale Energie im Bereich unter200keV liegt und daher entsprechend aufwändige undteuere Spezialmaschinen verwendet werden müssen.

Eine wirksame Verhinderung der Ausdiffusion durchoxidische  Abdeckschichten  konnte  bisher nicht er-reicht werden, was auch durch die begrenzte Dickeder  verwendeten  Oxide  begründet  wird.  Nach derDiffusion von Se müssen diese Oxide wieder wegge-ätzt werden, um die Metallisierung zu ermöglichen.Werden dicke Oxide zum Abdecken des Si verwen-det, muss die Vorderseite des Chips mit einer Foto-maske versehen werden, damit die darunter liegen-den, elektrisch notwendigen Oxide (z. B. das Zwi-schenoxid bei Transistoren) nicht unzulässig gedünntwerden.

Es  wird  vorgeschlagen,  als Abdeckschichten Si 3 N 4bzw. ein nicht stöchiometrisches Siliziumnitrid bzw...