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Transistor als Identifizierungsmerkmal für eine Chipkarte

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017857D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 123K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Franz Hofmann: AUTHOR [+3]

Abstract

Transistoren sollen als Identifizierungsmerkmal für Chipkarten verwendet werden. Jeder einzelne Chip erhält bei der Herstellung ein Merkmal, welches von außen nicht verändert werden kann. Dafür wird in einem speziellen Herstellungsverfahren ein Transistor mit individuellen Eigenschaften er- stellt, die von Chip zu Chip verschieden sind. Diese Eigenschaften können deshalb nicht durch spätere Eingriffe in den Chip manipuliert werden.

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Industrie

Transistor als Identifizierungs-merkmal für eine Chipkarte

Idee: Dr. Franz Hofmann, München;

Dr. Josef Willer, Riemerling;Dr. Hannes Luyken, München

Transistoren� sollen� als� Identifizierungsmerkmal fürChipkarten� verwendet� werden.� Jeder� einzelne� Chiperhält bei der Herstellung ein Merkmal, welches vonaußen nicht verändert werden kann.

Dafür wird in einem speziellen Herstellungsverfahrenein� Transistor� mit� individuellen� Eigenschaften� er-stellt, die von Chip zu Chip verschieden sind. DieseEigenschaften� können� deshalb� nicht� durch� spätereEingriffe in den Chip manipuliert werden.

Durch die Verwendung mehrerer dieser Transistorenauf einem Chip kann ein eindeutiger und individuel-ler Schlüssel auf dem Chip erstellt werden.

Das Herstellungsverfahren gestaltet sich wie folgt:

Bei der Flash Herstellung ist zu einem bestimmtenZeitpunkt das aktive Gebiet mit Tunneloxid bedeckt.Nun erfolgt hier mit� einer� Lackmaske� eine� RIE-Ätzung (Reaktiv-Ionenätzen). Statt dessen kann auchdas vorhandene Oxid naß-chemisch geätzt werden. Eserfolgt im wesentlichen ein Silizium-Ätzprozeß, beidem die Ätzdauer einer Ätzung von ca. 500 nm Sili-zium entspricht. Zu Beginn wird mit hoher Selektivi-tät zu Oxid geätzt. Während des Ätzvorgangs wirddie Selektivität zu Oxid verringert. Die Selektivität zuOxid wird so eingestellt, daß am Ende der Ätzung dasTunneloxid vollkommen entfernt ist. Das Oxid wirdan� undefinierten� Stellen� zuerst� entfernt.� An� diesenStel...