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Schnellere Abschaltung des Ladestroms beim Ziehen des Akkus

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017873D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 156K

Publishing Venue

Siemens

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Jan Falkenstein: AUTHOR

Abstract

Der Ladevorgang in einem Mobil Phone wird bei bisherigen Applikationen prinzipiell wie in Abbil- dung 1 dargestellt realisiert. Sinkt die Akkuspannung unter einen definierten Grenzwert und wird der Pin CHARGE_UC von L auf H geschaltet, so beginnt der Ladevorgang. In den Pin CHARGE fließt ein definierter Strom, was einen Spannungsabfall an der Gate-Source Strecke FETs T4 zur Folge hat; die Drain-Source Strecke beginnt zu leiten.

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Information / Kommunikation

Sinkt die Akkuspannung unter einen definiertenGrenzwert und wird der Pin CHARGE_UC von L aufH geschaltet, so beginnt der Ladevorgang. In den PinCHARGE fließt ein� definierter� Strom,� was� einenSpannungsabfall an� der� Gate-Source� Strecke� FETsT4 zur Folge hat; die Drain-Source Strecke beginntzu leiten.

Wird nun während des Ladevorgangs der Akku gezo-gen, so steigt die Spannung an VBATT, verursachtdurch den Strom des Laders, sehr schnell an. Erreichtdie Spannung an VBATT die Overvoltage-Schwellevon 5,7V, so schaltet das ASIC (Application-SpecificIntegrated� Circuit) ab und das Gate des FETs wirdnun über den Widerstand R3 entladen. Dieser bildetmit der Gate-Kapazität ein RC-Glied. Der Ladevor-gang dauert einige� � µ� s, je nach Wert des WiderstandsR3 und der Gate-Kapazität. In dieser Zeit steigt aberdie Spannung an VBATT über den immer noch lei-tenden FET T4 auf Werte von über 6V. Dies kannunter Umständen zur Zerstörung von anderen, direktvon� der� Batterie� versorgten� Bauteilen, führen. Fürzukünftige Applikationen soll die Kapazität des Kon-densators C1 aus Platz- und Kostengründen verklei-nert werden. Dies hätte aber einen wesentlich stärke-ren Spannungsanstieg� an� VBATT� zur� Folge� undwürde das Problem verstärken.

Die Idee besteht darin, das Gate des FETs T4 beimErreichen der Overvoltage-Schwelle aktiv zu entla-den. Somit sperrt der FET sofort und die Spannungsteigt nur noch unwesentlich an. In Abbildung 2 istdie prinzipielle Schaltung dargestellt.

Das Signal POWER_ON steuert das Gate des FETsT1. Bei Erkennung der Overvoltage geht das SignalPOWER_ON von H nach L. FET T1 arbeitet dabei

Schnellere Abschaltung des Lade-stroms beim Ziehen des Akkus

Ide...