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HV CMOS IC

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018025D
Original Publication Date: 2001-Dec-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 154K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Jenö Tihanyi: AUTHOR

Abstract

Für automotive Schaltungen und High-Side-Schalter hat sich die Selbstisolations-technologie gut bewährt. Für höhere Spannungen gibt es eine ähnliche Tech- nologie, mit der die Schalter SITAC der Infineon AG gefertigt werden.

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Industrie

HV CMOS IC

Idee: Dr. Jenö Tihanyi, Kirchheim

Für automotive Schaltungen und High-Side-Schalterhat sich die Selbstisolations-technologie gut bewährt.Für höhere Spannungen gibt es eine ähnliche Tech-nologie, mit der die Schalter SITAC der Infineon AGgefertigt werden.

Dabei ist es möglich, vertikale und laterale DMOS-Leistungstransistoren (Diffusion Metal Oxide Semi-conductor) in CMOS-Logikschaltungen (Comple-mentary Metal Oxide Semiconductor) zu integrieren.Für hohe Spannungen, also für die meisten Anwen-dungen,  sind  die  LDMOS-  (Lightly  Doped  MetalOxide Semiconductor)  und  die  DMOS-Schalter  zuhochohmig.

Durch  einen  zusätzlichen  Einsatz  einer p1-Schicht(z.B. Implantation auf der Oberfläche nach der erstenn-Epitaxie oder Tiefenimplantation in eine n-Epischicht) wird der laterale DMOS als CoolMOS-FET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tran-sistor) der Infineon AG mit kompensierter Driftzoneausgebildet. Der vertikale DMOS bleibt bestehen wiegehabt (also so wie er mit der n־-Epi wäre).

Damit  wird  eine  erhöhte Leitfähigkeit erzielt beigleichbleibender  Sperrfähigkeit.  Zusätzlich  werdendie separierten n- und p-Wannen erzeugt.

Mit  einem  geeigneten  CMOC-IC-Prozeß  (CMOS-Integrated Circuit) kann in den Wannen eine Schal-tung mit hoher Packungsdichte erzeugt werden. Diep1-Gebiete sind an irgendeiner Stelle auf einer ande-ren  Ebene  an  die  Sourcewanne  des LD-MOSFETs(Lightly Doped MOSFET) angeschlossen.

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