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HV CMOS IC

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018025D
Original Publication Date: 2001-Dec-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 154K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Jenö Tihanyi: AUTHOR

Abstract

Für automotive Schaltungen und High-Side-Schalter hat sich die Selbstisolations-technologie gut bewährt. Für höhere Spannungen gibt es eine ähnliche Tech- nologie, mit der die Schalter SITAC der Infineon AG gefertigt werden. Dabei ist es möglich, vertikale und laterale DMOS- Leistungstransistoren (Diffusion Metal Oxide Semi- conductor) in CMOS-Logikschaltungen (Comple- mentary Metal Oxide Semiconductor) zu integrieren. Für hohe Spannungen, also für die meisten Anwen- dungen, sind die LDMOS- (Lightly Doped Metal Oxide Semiconductor) und die DMOS-Schalter zu hochohmig.

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Industrie

HV CMOS IC

Idee: Dr. Jenö Tihanyi, Kirchheim

Für automotive Schaltungen und High-Side-Schalterhat sich die Selbstisolations-technologie gut bewährt.Für höhere Spannungen gibt es eine ähnliche Tech-nologie, mit der die Schalter SITAC der Infineon AGgefertigt werden.

Dabei ist es möglich, vertikale und laterale DMOS-Leistungstransistoren (Diffusion Metal Oxide Semi-conductor) in CMOS-Logikschaltungen (Comple-mentary Metal Oxide Semiconductor) zu integrieren.Für hohe Spannungen, also für die meisten Anwen-dungen,� sind� die� LDMOS-� (Lightly� Doped� MetalOxide Semiconductor)� und� die� DMOS-Schalter� zuhochohmig.

Durch� einen� zusätzlichen� Einsatz� einer p1-Schicht(z.B. Implantation auf der Oberfläche nach der erstenn-Epitaxie oder Tiefenimplantation in eine n-Epischicht) wird der laterale DMOS als CoolMOS-FET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tran-sistor) der Infineon AG mit kompensierter Driftzoneausgebildet. Der vertikale DMOS bleibt bestehen wiegehabt (also so wie er mit der n־-Epi wäre).

Damit� wird� eine� erhöhte Leitfähigkeit erzielt beigleichbleibender� Sperrfähigkeit.� Zusätzlich� werdendie separierten n- und p-Wannen erzeugt.

Mit� einem� geeigneten� CMOC-IC-Proze� (CMOS-Integrated Circuit) kann in den Wannen eine Schal-tung mit hoher Packungsdichte erzeugt werden. Diep1-Gebiete sind an irgendeiner Stelle auf einer ande-ren� Ebene� an� die� Sourcewanne� des LD-MOSFETs(Lightly Doped MOSFET) angeschlossen.

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