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Leiterplattenschichtung für hochkomplexe Schaltungsstrukturen mit extrem hochbitratigen Signalen mit unsymmetrischer Aufteilung zwischen HF-Teil und Digital-Teil

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018102D
Original Publication Date: 2002-Feb-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 2 page(s) / 677K

Publishing Venue

Siemens

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Peter Birkholtz: AUTHOR [+3]

Abstract

Wird eine Leiterplatte als Gesamtheit und die Abfol- ge der einzelnen Schichten unabhängig von ihrer elektrischen Funktion betrachtet, dann läßt sich eine Leiterplatte aufbauen, die in Halbzeug und Ergebnis symmetrisch ist, jedoch HF-Teile und Digital-Teile in fast beliebiger Aufteilung erlaubt. Werden in Leiterplatten sehr hochbitratige Signale (≥ 622 Mbit/s) geführt, ist es notwendig, diese wellen- widerstandsrichtig in speziell dafür ausgelegten Z- Kammern zu verlegen. Der Zugang erfolgt über Durchkontaktierung möglichst direkt am Pad des signalerzeugenden oder signalempfangenden Bau- steins. Bei hochkomplexen Schaltungsträgern ergibt sich eine sehr hohe Lagenzahl, weshalb die Durch- kontaktierungen viele Lagen durchdringen müssen. Damit entstehen hohe Verluste im HF-Bereich (Hochfrequenz).

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Bauelemente

Leiterplattenschichtung für hoch-komplexe Schaltungsstrukturen mitextrem hochbitratigen Signalen mitunsymmetrischer Aufteilung zwi-schen HF-Teil und Digital-Teil

Idee: Peter Birkholtz, München;

Dr. Dirk Netzler, München;Alexander Schnellbögl, München

Wird eine Leiterplatte als Gesamtheit und die Abfol-ge� der� einzelnen� Schichten� unabhängig� von� ihrerelektrischen Funktion betrachtet, dann läßt sich eineLeiterplatte aufbauen, die in Halbzeug und Ergebnissymmetrisch ist, jedoch HF-Teile und Digital-Teilein fast beliebiger Aufteilung erlaubt.

Werden in Leiterplatten sehr hochbitratige Signale (≥622 Mbit/s) geführt, ist es notwendig, diese wellen-widerstandsrichtig� in� speziell� dafür� ausgelegten Z-Kammern� zu� verlegen.� Der� Zugang� erfolgt überDurchkontaktierung möglichst� direkt� am� Pad� dessignalerzeugenden� oder signalempfangenden� Bau-steins. Bei hochkomplexen Schaltungsträgern ergibtsich eine sehr hohe Lagenzahl, weshalb die Durch-kontaktierungen� viele� Lagen� durchdringen müssen.Damit entstehen hohe Verluste im HF-Bereich(Hochfrequenz).

Die Einführung der µ-Via-Technik ermöglichte dieseDurchkontaktierungen (Vias) sowohl direkt am Paddes Bausteins anzuordnen, als auch nur speziell indiejenigen Lagen zu führen, in denen die HF-Signaleverlegt werden, solange es nicht mehr als die dreiäußeren Lagen sind.

Durch die� erforderliche� treppenartige� Struktur� derDurchkontaktierungen über mehrere Lagen entstehenjedoch wiederum Verluste.

Ist die Leiterplatte bzw. das Halbzeug nicht dickerals ca. 1,7 mm, können mechanische Bohrungen soklein ausgeführt werden, daß sie im Pad des Bau-stein...