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Nutzung der hohen Temperatursensibilität eines Varaktors als Temperatursensor

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018218D
Original Publication Date: 2002-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 338K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Detlef Wilhelm: AUTHOR

Abstract

Anhand nachfolgender Idee wird ein neues Verfah- ren zur Hochtemperaturmessung (> 800 – 900°C) mit einer Auflösung von 2°C vorgestellt. Dabei handelt es sich um eine Methode, bei der Testwafer mit Va- raktoren prozessiert, deren Kapazität bestimmt und mit bereits vorprozessierten Wafern und Varaktoren, deren Kapazität exemplarisch festgestellt wurde, verglichen werden. Bei den Vergleichswafern bzw. - varaktoren wurde diesbezüglich die Kapazität bei mind. drei verschiedenen Temperaturen gemessen und im C-T-Diagramm eine Näherungsgerade durch die drei Punkte gelegt (Bsp. s. Abb. 1). Diese dient somit als Vorlage zur Bestimmung der Temperatur anhand der ermittelten Varaktorkapazität.

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Bauelemente

Nutzung der hohen Temperatur-sensibilität eines Varaktors alsTemperatursensor

Idee: Dr. Detlef Wilhelm, Regensburg

Anhand nachfolgender Idee wird ein neues Verfah-ren zur Hochtemperaturmessung (> 800 – 900°C) miteiner Auflösung von 2°C vorgestellt. Dabei handeltes sich um eine Methode, bei der Testwafer mit Va-raktoren prozessiert, deren Kapazität bestimmt undmit bereits vorprozessierten Wafern und Varaktoren,deren Kapazität exemplarisch festgestellt wurde,verglichen werden. Bei den Vergleichswafern bzw. -varaktoren  wurde  diesbezüglich  die  Kapazität  beimind.  drei  verschiedenen Temperaturen gemessenund im C-T-Diagramm eine Näherungsgerade durchdie drei Punkte gelegt (Bsp. s. Abb. 1). Diese dientsomit als Vorlage zur Bestimmung der Temperaturanhand der ermittelten Varaktorkapazität.

Der nutzbare Effekt liegt in der temperaturabhängi-gen Eindiffusion von Bor in ein steiles Arsenprofil(s. Abb. 2). Als Diffusionsquelle dient eine hochdo-tierte  p-Poly-Schicht.  Die  Eindringtiefe wird dabeimittels der elektrischen Kapazitätsmessung bestimmt.

Bisher werden bei der Waferproduktion Fertigungs-versuche mit funktionsfähigen IC-Bausteinen (integ-rierte Schaltkreise) mit entsprechender Temperatur-empfindlichkeit gefahren, um sich dabei langsam andie optimale Temperatur anzunähern.

Der Vorteil der vorgestellten Temperaturmessmetho-de liegt in der hohen Ortsauflösung und der damitverbundenen  Anwendbarkeit  für die Ofenprofilie-rung und der Überprüfu...