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Eliminierung von Hochvolt durch Logikwanne

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018238D
Original Publication Date: 2002-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 481K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Peter Wawer: AUTHOR [+2]

Abstract

In bisherigen Flashprozessen werden zur Generation und Verteilung von positiven und negativen Hoch- spannungen von bis zu 20 V Hochvolttransistoren und extra Hochvoltwannen benötigt. Zu den n/p- Logikwannen erhält man somit noch 2 weitere Hochvoltwannen dazu. Die Hochspannungen werden zum Programmieren und Löschen der Zellen benö- tigt. Insgesamt werden somit 4 Wannen benötigt (Abbildung 1).

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Energie

Eliminierung von Hochvolt durchLogikwanne

Idee: Dr. Peter Wawer, Dresden;

Mayk Röhrich, Dresden

In bisherigen Flashprozessen werden zur Generationund Verteilung von positiven und negativen Hoch-spannungen  von  bis  zu  20  V Hochvolttransistorenund  extra  Hochvoltwannen  benötigt. Zu den n/p-Logikwannen  erhält  man  somit  noch 2 weitereHochvoltwannen dazu. Die Hochspannungen werdenzum Programmieren und Löschen der Zellen benö-tigt. Insgesamt werden  somit  4  Wannen  benötigt(Abbildung 1).

Die Idee ist es, in einem Flash/ embedded-Flashprozess die Hochvoltwannen einzusparen.

Bei neueren Flashkonzepten (z.B. UCP Flash) kanndie Hochspannung auf Werte um ca. 10 V reduziertwerden. Dadurch eröffnet sich die Möglichkeit, aufmindestens eine Hochvoltwanne zu verzichten. Umdie  für  negative  HV-Spannungen benötigte Triple-wanne  zu  realisieren,  kann  man daher die HV-p-Wanne durch  die  Logik-p-Wanne  ersetzen  (Abbil-dung 2).

In einem zweiten  Schritt  lässt  sich  auch  noch  dieHV-n-Wanne eliminieren. Um  trotzdem  noch  eineTriplewanne zu realisieren, muss dann in die tiefereLogik-n-Wanne die  Logik-p-Wanne  hinein  gelegtwerden (Abbildung 3).

Abb. 1-3 (v.o.n.u.)

Siemens  Technik Report      Jahrgang 5  Nr.16      April 2002