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Eliminierung von Hochvolt durch Logikwanne

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018238D
Original Publication Date: 2002-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 481K

Publishing Venue

Siemens

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Dr. Peter Wawer: AUTHOR [+2]

Abstract

In bisherigen Flashprozessen werden zur Generation und Verteilung von positiven und negativen Hoch- spannungen von bis zu 20 V Hochvolttransistoren und extra Hochvoltwannen benötigt. Zu den n/p- Logikwannen erhält man somit noch 2 weitere Hochvoltwannen dazu. Die Hochspannungen werden zum Programmieren und Löschen der Zellen benö- tigt. Insgesamt werden somit 4 Wannen benötigt (Abbildung 1). Die Idee ist es, in einem Flash/ embedded- Flashprozess die Hochvoltwannen einzusparen.

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Energie

Eliminierung von Hochvolt durchLogikwanne

Idee: Dr. Peter Wawer, Dresden;

Mayk Röhrich, Dresden

In bisherigen Flashprozessen werden zur Generationund Verteilung von positiven und negativen Hoch-spannungen� von� bis� zu� 20� V Hochvolttransistorenund� extra� Hochvoltwannen� benötigt. Zu den n/p-Logikwannen� erhält� man� somit� noch 2 weitereHochvoltwannen dazu. Die Hochspannungen werdenzum Programmieren und Löschen der Zellen benö-tigt. Insgesamt werden� somit� 4� Wannen� benötigt(Abbildung 1).

Die Idee ist es, in einem Flash/ embedded-Flashprozess die Hochvoltwannen einzusparen.

Bei neueren Flashkonzepten (z.B. UCP Flash) kanndie Hochspannung auf Werte um ca. 10 V reduziertwerden. Dadurch eröffnet sich die Möglichkeit, aufmindestens eine Hochvoltwanne zu verzichten. Umdie� für� negative� HV-Spannungen benötigte Triple-wanne� zu� realisieren,� kann� man daher die HV-p-Wanne durch� die� Logik-p-Wanne� ersetzen� (Abbil-dung 2).

In einem zweiten� Schritt� lässt� sich� auch� noch� dieHV-n-Wanne eliminieren. Um� trotzdem� noch� eineTriplewanne zu realisieren, muss dann in die tiefereLogik-n-Wanne die� Logik-p-Wanne� hinein� gelegtwerden (Abbildung 3).

Abb. 1-3 (v.o.n.u.)

Siemens� Technik Report� � � � � Jahrgang 5� Nr.16� � � � � April 2002