Browse Prior Art Database

Justage von dicken epitaxialen Schichten auf Canon FPA-3000 Wafer-Steppern

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018262D
Original Publication Date: 2002-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 145K

Publishing Venue

Siemens

Related People

Jens Stäcker: AUTHOR

Abstract

Die Justage von bis zu 40µm dicken epitaxialen Schichten ist auf dem Anlagentyp Canon FPA-3000 der Firma Canon unter Verwendung der von der Firma Canon empfohlenen Standardmarken – TVPA für das globale Alignment und 20P-4F für das AGA- Alignment – bisher nicht möglich. Bislang wird für diesen Prozeß ein Anlagentyp der Firma Ultratech genutzt, dessen Targets vierfache Größe aufweisen im Vergleich zu denen des Anla- gentyps der Firma Canon. Zudem ist bei diesem Typ die dreifache Nacharbeit und auch eine kontinuierli- che neue Einstellung der Justage notwendig.

This text was extracted from an ASCII text file.
This is the abbreviated version, containing approximately 85% of the total text.

Industrie

Justage von dicken epitaxialenSchichten auf Canon FPA-3000Wafer-Steppern

Idee: Jens Stäcker, Itzehoe

Die� Justage� von� bis� zu 40µm dicken epitaxialenSchichten ist auf dem Anlagentyp Canon FPA-3000der� Firma� Canon� unter� Verwendung� der von derFirma Canon empfohlenen Standardmarken – TVPAfür das globale Alignment und 20P-4F für das AGA-Alignment – bisher nicht möglich.

Bislang wird für diesen Prozeß ein Anlagentyp derFirma� Ultratech� genutzt, dessen� Targets� vierfacheGröße aufweisen im Vergleich zu denen des Anla-gentyps der Firma Canon. Zudem ist bei diesem Typdie dreifache Nacharbeit und auch eine kontinuierli-che neue Einstellung der Justage notwendig.

Durch die Verwendung eines neu entwickelten Tar-gets (30P-16F Island, 40P-4F Window) ist eine Jus-tage durch alle Säulen des SIP5-Prozesses auf CanonFPA-3000 Wafer-Steppern möglich. Zudem wird zurglobalen Justierung ein� neu� entwickeltes� 60P-4FIsland Target als Ersatz für das TVPA genutzt.

Dieses� ist� möglich� durch� die� Umsetzung� der vonCanon� gegebenen� Marken-Designregeln und derenAnwendung für die Justierung der epitaxialenSchichten des� CoolMOS-Prozesses� (MOS� -� MetalOxide Semiconductor). In einem einfachen Ätzpro-zeß werden die Targets 1:1 in das Silizium geätzt. Ineinem EPI-Prozeß� werden� diese� Strukturen� in� Ab-hängigkeit von Targettiefe, EPI-Temperatur undAuftragsrate vergrößert oder verkleinert. Das Designmuß also so ausgelegt werden, daß die Targets durchden� EP...