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Kostengünstige Waferdurchkontaktierungen für Dünnfilmprozesse

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018270D
Original Publication Date: 2002-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 2 page(s) / 754K

Publishing Venue

Siemens

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Georg Meyer-Berg: AUTHOR

Abstract

Als Wafermaterialien dienen vorwiegend Halbleiter und da vorwiegend Silizium. Für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen (ICs) ungeeignet sind Gläser, die dennoch in Waferform speziell für Dünn- filmproduktion z.B. auf 200mm Basis verwendet werden. Die übliche Form der Durchkontaktierung besteht nun darin, im Glaswafer Löcher zu erzeugen und diese dann mit Metallen zu füllen. Speziell bei Halbleiterwafern, bei denen z.B. durch KOH-ätzen Löcher erzeugt werden können, kommt dabei noch das Problem der Isolierung der metallischen Durch- kontaktierung gegenüber dem Halbleiter hinzu.

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Information / Kommunikation

Kostengünstige Waferdurchkon-taktierungen für Dünnfilmprozesse

Idee: Georg Meyer-Berg, München

Als Wafermaterialien dienen vorwiegend Halbleiterund da vorwiegend Silizium. Für die Herstellung vonintegrierten Schaltkreisen (ICs) ungeeignet sindGläser, die dennoch in Waferform speziell für Dünn-filmproduktion  z.B.  auf  200mm  Basis  verwendetwerden. Die  übliche  Form  der  Durchkontaktierungbesteht nun darin, im Glaswafer Löcher zu erzeugenund diese dann mit Metallen zu füllen. Speziell beiHalbleiterwafern, bei denen z.B. durch KOH-ätzenLöcher erzeugt werden können, kommt dabei nochdas Problem der Isolierung der metallischen Durch-kontaktierung gegenüber dem Halbleiter hinzu.

Die  Idee  besteht  darin,  statt  Waferherstellung,  Lö-cherherstellung, elektrischer Verbindung zu erstellenohne Herstellen von Löchern und sozusagen in ei-nem Schritt Wafer mit elektrischen Durchkontaktie-rungen hergestellt werden können.

Es ist ein entscheidender Kostenvorteil, wenn manstatt Löcher in einem Wafer zu erzeugen und dendann  mit  Metallen  zu  füllen, gleich metallischeDrähte in das Ausgangsmaterial mit einbaut. Dabeieignen sich besonders bei der Verwendung von Glas(Isolator), das bei ca. 900 bis max. 1200°C in flüssi-ger Form verarbeitet wird, an der Oberfläche aufge-raute Drähte (Leiter) aus z.B.Chrom-Vanadium-Stahl, die bis in diesen Tempera-turbereich hinein stabil sind und einen ausreichendenspezifischen elektrischen Widerstand...