Browse Prior Art Database

HV-Anlaufschaltung für Schaltnetzgeräte

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018348D
Original Publication Date: 2002-Jun-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23
Document File: 1 page(s) / 283K

Publishing Venue

Siemens

Related People

Dr. Jenö Tihanyi: AUTHOR

Abstract

Für den Anlauf von Sperrwandlern und PFCs sind Bauelemente wünschenswert, die es ermöglichen mit einer kleinen Ruheverlustleistung zu arbeiten. Abbildung 1 zeigt einen Sperrwandler mit der dafür vorgeschlagenen (zweipoligen) Anlaufschaltung (Abbildung 2), die für jeden SNT (Schaltnetzteil)- Controller-IC oder für Coolsets verwendet werden kann. Beim Anlaufen fließt ein Strom (~< 1mA) über T 1 , da seine Gatespannung etwa 0V beträgt. Nach- dem der SNT zu laufen anfängt und der Kondensator C (Abb. 1) aufgeladen wurde, wird C 1 bei jedem Einschalten von T 1 entladen. Wenn T 1 ausgeschaltet ist, wird C 1 über R 1 aufgeladen. Dabei ist darauf zu achten, dass T 1 während dieser Zeit (Zeit zum Aufla- den sinkt mit steigender Taktfrequenz) nicht öffnen darf.

This text was extracted from an ASCII text file.
This is the abbreviated version, containing approximately 100% of the total text.

Bauelemente

HV-Anlaufschaltung für Schalt-netzgeräte

Idee: Dr. Jenö Tihanyi, München

Für den Anlauf von Sperrwandlern und PFCs sindBauelemente wünschenswert, die es ermöglichen miteiner kleinen Ruheverlustleistung zu arbeiten.

Abbildung 1 zeigt einen Sperrwandler mit der dafürvorgeschlagenen� (zweipoligen) Anlaufschaltung(Abbildung� 2),� die� für� jeden SNT (Schaltnetzteil)-Controller-IC� oder� für� Coolsets� verwendet� werdenkann. Beim Anlaufen fließt ein Strom (~< 1mA) überT 1 , da seine Gatespannung etwa 0V beträgt. Nach-dem der SNT zu laufen anfängt und der KondensatorC� (Abb.� 1)� aufgeladen� wurde,� wird C 1� � bei� jedemEinschalten von T 1� entladen. Wenn T 1� ausgeschaltetist, wird C 1� über R 1� aufgeladen. Dabei ist darauf zuachten, dass T 1� während dieser Zeit (Zeit zum Aufla-den sinkt mit steigender Taktfrequenz) nicht öffnendarf.

Abb. 1: SNT mit Anlaufschaltung

Abb. 2: Anlaufschaltung

In Abbildung 3 ist eine Ausführungsform inmonolithisch integrierter Technologie dargestellt.Dabei ist R 1 � ein Depletion-FET und C 1� ist mittelsGateoxyd-Kondensator gebildet. Der Rand muss alsHV-Feldplattenstruktur erzeugt werden.

Abb. 3: Monolithisch integrierte Ausführung

4

Siemens� Technik Report� � � � � Jahrgang 5� Nr.17� � � � � Juni 2002