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Lateraler Kompensationstransistor mit Trennblaettern aus undotierter Epi

IP.com Disclosure Number: IPCOM000018991D
Original Publication Date: 2003-Sep-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Sep-25
Document File: 1 page(s) / 235K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Bei den lateralen Kompensationstransistoren mit nebeneinanderliegenden p- und n-Saeulen in einer Ebene stellt sich die Ausraeumspannung in Abhaengigkeit vom Design (Breite und Dotierungshoehe) ein. Im Stand der Technik raeumen sich bei anliegender Spannung nicht nur die nebeneinanderliegenden Gebiete aus, sondern auch die uebereinanderliegenden Gebiete. Damit wird die Spannung, bei der keine freien Landungstraeger mehr fuer den Stromfluss vorhanden sind, deutlich abgesenkt. Fuer den Betrieb von Leistungstransistoren ist diese Spannung deutlich zu niedrig. Es wird vorgeschlagen, die Ausraeumspannung vertikal uebereinanderliegender Gebiete ueber die Ausraeumspannung der lateral nebeneinanderliegenden Gebiete anzuheben. Dies wird durch Einfuegen schwach p- oder n- oder undotierter Epischichten erreicht. Damit erzielt man im Design der lateralen Kompensationstransistoren einen neuen Freiheitsgrad. Um diesen Vorschlag zu realisieren, wird auch eine geaenderte Prozessfuehrung des Herstellungsverfahrens erforderlich. Erfindungsgemaess wird folgende Prozesssequenz angeboten: Abscheidung einer undotierten Epi, ganzflaechige unmaskierte n-Implantation, maskierte p-Implantation zur Herstellung der p-Saeule durch Ueberkompensation und der p-Wanne und kurze Ausdiffusion zur Aktivierung der Implantationsdosis. Danach folgt die Abscheidung der naechsten Epischicht. Um eine Ueberkompensation mit entsprechend hoher Dosis fuer die p-Wanne zu erreichen, kann fuer die p-Gebiete ein kleinerer Flaechenanteil als fuer die n-Gebiete gewaehlt werden.

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S

© SIEMENS AG 2003 file: ifx_2003J51447.doc page: 1

Lateraler Kompensationstransistor mit Trennblaettern aus undotierter Epi

Idea: Dr. Gerald Deboy, DE-Muenchen

Bei den lateralen Kompensationstransistoren mit nebeneinanderliegenden p- und n-Saeulen in einer Ebene stellt sich die Ausraeumspannung in Abhaengigkeit vom Design (Breite und Dotierungshoehe) ein. Im Stand der Technik raeumen sich bei anliegender Spannung nicht nur die nebeneinanderliegenden Gebiete aus, sondern auch die uebereinanderliegenden Gebiete. Damit wird die Spannung, bei der keine freien Landungstraeger mehr fuer den Stromfluss vorhanden sind, deutlich abgesenkt. Fuer den Betrieb von Leistungstransistoren ist diese Spannung deutlich zu niedrig.

Es wird vorgeschlagen, die Ausraeumspannung vertikal uebereinanderliegender Gebiete ueber die Ausraeumspannung der lateral nebeneinanderliegenden Gebiete anzuheben. Dies wird durch Einfuegen schwach p- oder n- oder undotierter Epischichten erreicht. Damit erzielt man im Design der lateralen Kompensationstransistoren einen neuen Freiheitsgrad. Um diesen Vorschlag zu realisieren, wird auch eine geaenderte Prozessfuehrung des Herstellungsverfahrens erforderlich. Erfindungsgemaess wird folgende Prozesssequenz angeboten: Abscheidung einer undotierten Epi, ganzflaechige unmaskierte n-Implantation, maskierte p-Implantation zur Herstellung der p-Saeule durch Ueberkompensation und der p-Wanne und kurze Ausdiffusion zur Aktivierung der Implantationsdosis. Danach...