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Reverse-Blocking-MOSFET

IP.com Disclosure Number: IPCOM000019008D
Original Publication Date: 2003-Sep-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Sep-25
Document File: 2 page(s) / 185K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

In der Patentschrift US 2003/0006454 A1 von M.N. Darwisch (Siliconix) wurde ein einfacher Trench-MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) praesentiert. Darin wird die Drift-Zone aus dem Gate-Trench eingefuehrt. Dieses Prinzip kann auf einfache Weise so weiter entwickelt werden, dass der MOSFET eine Reverse-Blocking-Charakteristik erhaelt. Abbildung 1 zeigt die erfindungsgemaesse Anordnung. Dabei werden mehrere MOSFETs nebeneinander angeordnet. Zwischen den einzelnen Gate-Trenches werden Metallstoepsel eingebracht, die als Rekombinationsregionen dienen. Die p-Body-Zone soll dabei floaten. Da die Metallstoepsel durch eine Isolationsschicht von der Source getrennt sind, ergibt sich die Reverse-Blocking-Charakteristik.

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Reverse-Blocking-MOSFET

Idea: Dr. Jenoe Tihanyi, DE-Muenchen

In der Patentschrift US 2003/0006454 A1 von M.N. Darwisch (Siliconix) wurde ein einfacher Trench- MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) praesentiert. Darin wird die Drift-Zone aus dem Gate-Trench eingefuehrt. Dieses Prinzip kann auf einfache Weise so weiter entwickelt werden, dass der MOSFET eine Reverse-Blocking-Charakteristik erhaelt.

Abbildung 1 zeigt die erfindungsgemaesse Anordnung. Dabei werden mehrere MOSFETs nebeneinander angeordnet. Zwischen den einzelnen Gate-Trenches werden Metallstoepsel eingebracht, die als Rekombinationsregionen dienen. Die p-Body-Zone soll dabei floaten. Da die Metallstoepsel durch eine Isolationsschicht von der Source getrennt sind, ergibt sich die Reverse- Blocking-Charakteristik.

In einer anderen Ausfuehrungsform (Abb. 2) wird ueber zwischen den Gate-Trenches eingebrachte Metallkerne eine p-Dotierung in die n-Body-Zone vorgenommen. In die Metall-Trenches kann dabei optimalerweise Bor implantiert werden, sodass der p-n-Uebergang in der Body-Zone automatisch selbstjustierend gewaehlt ist.

Abb. 1: Reverse-Blocking MOSFET

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Abb. 2: Ausfuehrungsform mit p-Diffusion aus dem Kern-Trench

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