Dismiss
InnovationQ will be updated on Sunday, Oct. 22, from 10am ET - noon. You may experience brief service interruptions during that time.
Browse Prior Art Database

Konzept zur Integration von elektrischen Widerstandsstrukturen in einer MIMCAP-Umgebung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000019707D
Original Publication Date: 2003-Oct-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Oct-25
Document File: 1 page(s) / 83K

Publishing Venue

Siemens

Related People

Juergen Carstens: CONTACT

Abstract

Zur Realisierung integrierter analoger Schaltungen werden hochwertige passive Bauelemente, z.B. hochpraezise Widerstaende (z.B. aus Polysilizium) oder elektrische Kapazitaeten (z.B. MIMCAP - Metal-Insulator-Metal Capacitor) benoetigt. Diese Bauelemente werden bisher in unabhaengigen Modulbloecken prozessiert. Mit der hier vorgeschlagenen Methode werden mit zusaetzlicher Maske und Aetzung Widerstandsstrukturen aus TiN (Titannitrid) oder TaN (Tantalnitrid) in ein Metallisierungsmodul (BEOL - Back End of Line) integriert. Damit kann jede Metallisierungsebene sowohl zur Verdrahtung und zum Einbau elektrischer Kapazitaeten als auch zum Bereitstellen von Widerstandsstrukturen genutzt werden. Die Kontaktierung der Widerstaende erfolgt mittels unterliegender Kontakte. Ein moeglicher Fertigungsprozess ist im Folgenden beschrieben:

This text was extracted from a PDF file.
At least one non-text object (such as an image or picture) has been suppressed.
This is the abbreviated version, containing approximately 55% of the total text.

Page 1 of 1

S

© SIEMENS AG 2003 file: ifx_2003J52152.doc page: 1

Konzept zur Integration von elektrischen Widerstandsstrukturen in einer MIMCAP-Umgebung

Idea: Klaus Goller, DE-Dresden; Knut Stahrenberg, DE-Dresden

Zur Realisierung integrierter analoger Schaltungen werden hochwertige passive Bauelemente, z.B. hochpraezise Widerstaende (z.B. aus Polysilizium) oder elektrische Kapazitaeten (z.B. MIMCAP - Metal-Insulator-Metal Capacitor) benoetigt. Diese Bauelemente werden bisher in unabhaengigen Modulbloecken prozessiert.

Mit der hier vorgeschlagenen Methode werden mit zusaetzlicher Maske und Aetzung Widerstandsstrukturen aus TiN (Titannitrid) oder TaN (Tantalnitrid) in ein Metallisierungsmodul (BEOL - Back End of Line) integriert. Damit kann jede Metallisierungsebene sowohl zur Verdrahtung und zum Einbau elektrischer Kapazitaeten als auch zum Bereitstellen von Widerstandsstrukturen genutzt werden. Die Kontaktierung der Widerstaende erfolgt mittels unterliegender Kontakte. Ein moeglicher Fertigungsprozess ist im Folgenden beschrieben:

- Fertigstellung der unteren Kontaktloecher zwischen Bauelementen (z.B. Transistoren) und der ersten Metallisierungsebene;

- Abscheidung der Widerstands-Liner (Widerstandsschichten) aus TaN (Tantalnitrid) oder TiN

(Titannitrid) und einer Isolationsschicht, z.B. aus SiO2;

- Ausbildung der Widerstandsstruktur mittels Lithographie und Aetzung, z.B. einer Trockenaetzung mit Nassreinigung und entsprechend nachfolgender Standardprozessfuehrung;

- Absche...