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Vergrabene Diode realisiert ueber Schraegimplantation mit einer Foto-Ebene

IP.com Disclosure Number: IPCOM000019750D
Original Publication Date: 2003-Oct-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Oct-25
Document File: 1 page(s) / 164K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Dioden besitzen ein p- und ein n-dotiertes Gebiet, die aneinander grenzen. Bisher werden die zwei unterschiedliche Dotierungen ueber zwei Implantationen mit separaten Maskenebenen realisiert. Nachteil dabei ist, dass dazu zwei unterschiedliche Masken und somit zwei Fototechnik-Prozesse benoetigt werden, die das Belacken, Belichten, Entwickeln und Lack-Entfernen beinhalten. Vorschlag der vorliegenden Erfindungsmeldung ist, die p-und n-Dotierstoffe der Diode mit nur einer Maske, d.h. einem Fototechnik-Prozess, zu implantieren. Dazu werden die Dotierstoffe nicht senkrecht in die Silizium-Oberflaeche implantiert, sondern schraeg, und zwar aus unterschiedlichen Richtungen fuer die p- und fuer die n-Implantation. Die Implantation erfolgt also versetzt unter der eigentlichen Implantationsmaske (siehe Abb.). Zu beachten ist, dass mit diesem Verfahren die Diode nur in einer Orientierung auf der Scheibe hergestellt werden kann. Diese Orientierung ist abhaengig von der Richtung der Schraegimplantation.

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S

Vergrabene Diode realisiert ueber Schraegimplantation mit einer Foto-Ebene

Idea: Klaus Roeschlau, DE-Muenchen; Karl-Heinz, Mueller, DE-Muenchen

Dioden besitzen ein p- und ein n-dotiertes Gebiet, die aneinander grenzen. Bisher werden die zwei unterschiedliche Dotierungen ueber zwei Implantationen mit separaten Maskenebenen realisiert. Nachteil dabei ist, dass dazu zwei unterschiedliche Masken und somit zwei Fototechnik-Prozesse benoetigt werden, die das Belacken, Belichten, Entwickeln und Lack-Entfernen beinhalten.

Vorschlag der vorliegenden Erfindungsmeldung ist, die p-und n-Dotierstoffe der Diode mit nur einer Maske, d.h. einem Fototechnik-Prozess, zu implantieren. Dazu werden die Dotierstoffe nicht senkrecht in die Silizium-Oberflaeche implantiert, sondern schraeg, und zwar aus unterschiedlichen Richtungen fuer die p- und fuer die n-Implantation. Die Implantation erfolgt also versetzt unter der eigentlichen Implantationsmaske (siehe Abb.). Zu beachten ist, dass mit diesem Verfahren die Diode nur in einer Orientierung auf der Scheibe hergestellt werden kann. Diese Orientierung ist abhaengig von der Richtung der Schraegimplantation.

Der Vorteil dieses Verfahrens ist die Einsparung einer Maske und einer Fototechnik. Die p- und n- dotierte Gebiete koennen mit der gleichen Maske implantiert werden.

Abb. 1: Implantation der Diode

© SIEMENS AG 2003 file: ifx_2003J52664.doc page: 1

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