Browse Prior Art Database

Trench-MOSFET

IP.com Disclosure Number: IPCOM000020153D
Published in the IP.com Journal: Volume 3 Issue 11 (2003-11-25)
Included in the Prior Art Database: 2003-Nov-25
Document File: 1 page(s) / 64K

Publishing Venue

Siemens

Related People

Juergen Carstens: CONTACT

Abstract

In der nachfolgenden Abhandlung wird eine Loesung fuer einfache, kompensierte MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) vorgestellt. Die vorgeschlagene Struktur ist der Abbildung 1 zu entnehmen. Dabei werden die tiefen p-Knoedel durch die Gate-Trench implantiert. Die p-Knoedel sind durch eine Seitenwand mit dem Zellenbody aufgrund einer Schraegimplantation verbunden. Die Kontaktloecher in den Zellen werden durch Spacertechnik erzeugt. Die n+- oder p+-Poly-Stoepsel (auch Seitenwandsilizid ist moeglich) bilden die Kontaktierung. In die KL-Trenche kann auch eine p++-Bodenimplantation erfolgen. Die Poly-Stoepsel dienen auch als Rekombinationszone und auf diese Weise wird der parasitaere Bipolartransistor in hohem Masse abgeschwaecht.

This text was extracted from a PDF file.
At least one non-text object (such as an image or picture) has been suppressed.
This is the abbreviated version, containing approximately 100% of the total text.

Page 1 of 1

Trench-MOSFET

Idea: Dr. Jenoe Tihanyi, DE-Muenchen

In der nachfolgenden Abhandlung wird eine Loesung fuer einfache, kompensierte MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) vorgestellt. Die vorgeschlagene Struktur ist der Abbildung 1 zu entnehmen. Dabei werden die tiefen p-Knoedel durch die Gate-Trench implantiert. Die p-Knoedel sind durch eine Seitenwand mit dem Zellenbody aufgrund einer Schraegimplantation verbunden. Die Kontaktloecher in den Zellen werden durch Spacertechnik erzeugt. Die n+- oder p+- Poly-Stoepsel (auch Seitenwandsilizid ist moeglich) bilden die Kontaktierung. In die KL-Trenche kann auch eine p++-Bodenimplantation erfolgen. Die Poly-Stoepsel dienen auch als Rekombinationszone und auf diese Weise wird der parasitaere Bipolartransistor in hohem Masse abgeschwaecht.

Abb. 1: Trench-MOSFET

© SIEMENS AG 2003 file: ifx_2003J53919.doc page: 1

[This page contains 2 pictures or other non-text objects]