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Fuellstrukturen auf OPC-Testmasken

IP.com Disclosure Number: IPCOM000021473D
Original Publication Date: 2004-Feb-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Feb-25
Document File: 1 page(s) / 23K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

In der Halbleiterfertigung sind lithographische Masken ein integraler Bestandteil im Belichtungsprozess. Diese hoch praezisen Masken werden als Vorlage fuer die optische Umsetzung der Schaltungsbilder auf die Siliziumscheibe genutzt. Die Technik Optical Proximity Correction (OPC, optische Abstandskorrektur) optimiert die Maskeneigenschaften zur Buendelung des Lichts, um so eine bessere Belichtung wichtiger Strukturen auf dem Photoresist-Material zu erzielen. Zur Bestimmung des OP-Effekts werden Teststrukturen auf speziellen Testmasken generiert, in der Wafer-Fab (Wafer Fabrication Facility) eingesetzt und vermessen. Aus diesen Daten werden Korrekturen fuer die Herstellung von Masken fuer die Chip-Produktion berechnet. Die Ergebnisse der Wafer-Prozessierung haengen dabei wesentlich vom Verhaeltnis zwischen hellen und dunklen Bereichen auf der Maske ab. Da man bei den Testmasken (im Unterschied zu Produktmasken) wegen der schnelleren und unkomplizierteren Herstellung auf Fuellstrukturen verzichtet bzw. nur grobe Fuellmuster nutzt, ergibt sich ein unterschiedliches Verhalten zwischen Test- und Produktmasken. Eine moegliche Folge davon sind fehlerhafte OPC-Korrekturen im Produkt. Bei kritischen Layern koennen fehlerhafte OPC-Korrekturen zu fehlerhaften Strukturgroessen bzw. zu kleineren Prozessfenstern in der Produktion fuehren und damit die Ausbeute an verwertbaren Chips reduzieren.

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S

Fuellstrukturen auf OPC-Testmasken

Idea: Jens Hassmann, DE-Dresden; Hermann Sachse, DE-Dresden; Karin Kurth, DE-Dresden; Christian Meyne, DE-Muenchen; Beate Frankowsky, DE-Muenchen; Oliver Genz, DE- Dresden; Marc Winking, DE-Muenchen

In der Halbleiterfertigung sind lithographische Masken ein integraler Bestandteil im Belichtungsprozess. Diese hoch praezisen Masken werden als Vorlage fuer die optische Umsetzung der Schaltungsbilder auf die Siliziumscheibe genutzt. Die Technik Optical Proximity Correction (OPC, optische Abstandskorrektur) optimiert die Maskeneigenschaften zur Buendelung des Lichts, um so eine bessere Belichtung wichtiger Strukturen auf dem Photoresist-Material zu erzielen.

Zur Bestimmung des OP-Effekts werden Teststrukturen auf speziellen Testmasken generiert, in der Wafer-Fab (Wafer Fabrication Facility) eingesetzt und vermessen. Aus diesen Daten werden Korrekturen fuer die Herstellung von Masken fuer die Chip-Produktion berechnet. Die Ergebnisse der Wafer-Prozessierung haengen dabei wesentlich vom Verhaeltnis zwischen hellen und dunklen Bereichen auf der Maske ab. Da man bei den Testmasken (im Unterschied zu Produktmasken) wegen der schnelleren und unkomplizierteren Herstellung auf Fuellstrukturen verzichtet bzw. nur grobe Fuellmuster nutzt, ergibt sich ein unterschiedliches Verhalten zwischen Test- und Produktmasken. Eine moegliche Folge davon sind fehlerhafte OPC-Korrekturen im Produkt. Bei kritischen Layern koennen fehlerhafte OPC-Korrekture...