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Halbleiterbauelement in Membran-Technologie

IP.com Disclosure Number: IPCOM000022714D
Published in the IP.com Journal: Volume 4 Issue 4 (2004-04-25)
Included in the Prior Art Database: 2004-Apr-25
Document File: 1 page(s) / 530K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

In der Patentschrift US2002/0041003A1 werden Varianten von Halbleiterbauelementen beschrieben, bei denen die Driftstrecke in einer Membrantechnologie ausgefuehrt ist. Insbesondere soll eine moeglichst hohe Sperrfaehigkeit bei einem geringen Einschaltwiderstand realisiert werden. Bei den dabei beschriebenen Strukturen besteht allerdings das Problem, dass sich das Maximum der elektrischen Feldstaerke an der Oberflaeche dieser Membran befindet. Deshalb reagiert diese Struktur sehr empfindlich auf Unregelmaessigkeiten der Membranoberflaeche und insbesondere auf immer vorhandene Oberflaechenentladungen. Damit ist einerseits die Sperrfaehigkeit dieser Halbleiterstruktur deutlich reduziert und andererseits die Stabilitaet stark eingeschraenkt.

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S

Halbleiterbauelement in Membran-Technologie

Idea: Dr. Gerald Deboy, DE-Muenchen; Dr. Hans-Joachim Schulze, DE-Muenchen; Dr. Helmut Strack, DE-Muenchen; Dr. Jenoe Tihanyi, DE-Muenchen

In der Patentschrift US2002/0041003A1 werden Varianten von Halbleiterbauelementen beschrieben, bei denen die Driftstrecke in einer Membrantechnologie ausgefuehrt ist. Insbesondere soll eine moeglichst hohe Sperrfaehigkeit bei einem geringen Einschaltwiderstand realisiert werden. Bei den dabei beschriebenen Strukturen besteht allerdings das Problem, dass sich das Maximum der elektrischen Feldstaerke an der Oberflaeche dieser Membran befindet. Deshalb reagiert diese Struktur sehr empfindlich auf Unregelmaessigkeiten der Membranoberflaeche und insbesondere auf immer vorhandene Oberflaechenentladungen. Damit ist einerseits die Sperrfaehigkeit dieser Halbleiterstruktur deutlich reduziert und andererseits die Stabilitaet stark eingeschraenkt.

Aus diesem Grunde soll die Driftstrecke im Bereich dieser duennen Membran derart ausgefuehrt werden, dass das Maximum der elektrischen Feldstaerke von der Oberflaeche weg in das Innere der Membran verlegt wird. Dies wird dadurch erreicht, indem in die Driftzone p-Bubbles eingefuegt werden. In Abbildung 1 ist schematisch ein typisches Beispiel eines lateralen Hochvolt-MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) dargestellt. Durch eine geeignete Wahl der Dotierung dieser p-Bubbles kann dann erreicht werden, dass die Feldstaerke in der T...