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Verfahren zur Einstellung von definierten Temperaturen des SOI-Wafers fuer messtechnische Zwecke

IP.com Disclosure Number: IPCOM000022717D
Original Publication Date: 2004-Apr-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Apr-25
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Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Bei der Produktion von integrierten Schaltkreisen werden die dafuer benoetigten Wafer bestimmten Pruefverfahren unterzogen. Zur Messung einiger Eigenschaften sind fest definierte Temperaturen notwendig. Bisher wird die Erwaermung von SOI-Wafern (Silicon On Insulator) mit einem sogenannten Thermo-Chuck vorgenommen, wobei die Waermeleitung ueber den Kontakt zweier Festkoerper vorgenommen wird. Allerdings wird die gewuenschte Temperatur erst nach einer gewissen Zeit erreicht.

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S

Verfahren zur Einstellung von definierten Temperaturen des SOI-Wafers fuer messtechnische Zwecke

Idea: Dr. Thomas Schumann, DE-Muenchen; Dr. Hermann Fischer, DE-Muenchen

Bei der Produktion von integrierten Schaltkreisen werden die dafuer benoetigten Wafer bestimmten Pruefverfahren unterzogen. Zur Messung einiger Eigenschaften sind fest definierte Temperaturen notwendig. Bisher wird die Erwaermung von SOI-Wafern (Silicon On Insulator) mit einem sogenannten Thermo-Chuck vorgenommen, wobei die Waermeleitung ueber den Kontakt zweier Festkoerper vorgenommen wird. Allerdings wird die gewuenschte Temperatur erst nach einer gewissen Zeit erreicht.

Das hier vorgeschlagene Verfahren verwendet einen Strom, welcher in die, durch die Oxidschicht vom aktiven Gebiet getrennte, leitfaehige Si-Scheibenrueckseite eingepraegt wird. Der Schichtwiderstand dient dabei als Ohmscher Widerstand und wird als solcher bei Stromfluss erwaermt. Der Schichtwiderstand kann zuvor durch geeignete Implantation eingestellt werden. Die Einstellung der Temperatur erfolgt dann durch Einstellen der Stromstaerke. Die Apparatur muss eine moeglichst homogene Stromverteilung ueber die Waferflaeche gewaehrleisten. Die erfindungsgemaesse Anordnung sieht daher eine ringfoermige, umlaufende Kontaktierung am Rand des Wafers sowie eine punktfoermige Kontaktierung in der Mitte vor, ueber welche der Strom zugefuehrt wird. Dieses Prinzip ist in Abbildung 1 und Abbildung 2 veranschaulicht. Die Vorteile liegen im v...