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IGBT mit reduzierter Miller-Kapazitaet

IP.com Disclosure Number: IPCOM000028654D
Original Publication Date: 2004-Jun-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Jun-25
Document File: 1 page(s) / 78K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Fuer bestimmte Schaltungen sind IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit kleiner Miller-Kapazitaet erwuenscht. Abbildung 1 zeigt eine moegliche Struktur. Dabei handelt es sich um einen IGBT mit schnellen Zellen. In den Zellen befinden sich tiefe KL-Strukturen, um den parasitaeren Bipolar-Transistor zu entschaerfen und die pentodenartigen Kennlinien zu sichern. Zwischen den Zellen ist eine floatende oder angeschlossene p-Zone und darueber eine Gateelektrode auf Sourcepotential gelegt. Das Trench-Gate-Poly kann eine Metallseele haben, um den Widerstand R zu verkleinern.

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S

IGBT mit reduzierter Miller-Kapazitaet

Idee: Dr. Jenoe Tihanyi, DE-Muenchen

Fuer bestimmte Schaltungen sind IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit kleiner Miller- Kapazitaet erwuenscht. Abbildung 1 zeigt eine moegliche Struktur. Dabei handelt es sich um einen IGBT mit schnellen Zellen. In den Zellen befinden sich tiefe KL-Strukturen, um den parasitaeren Bipolar-Transistor zu entschaerfen und die pentodenartigen Kennlinien zu sichern. Zwischen den Zellen ist eine floatende oder angeschlossene p-Zone und darueber eine Gateelektrode auf Sourcepotential gelegt. Das Trench-Gate-Poly kann eine Metallseele haben, um den Widerstand R zu verkleinern.

Abb. 1

© SIEMENS AG 2004 file: ifx_2004J51552.doc page: 1

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