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Flanschverbindung mit eingeformter Teilchenfalle

IP.com Disclosure Number: IPCOM000028694D
Original Publication Date: 2004-Jun-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Jun-25
Document File: 1 page(s) / 24K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Unter Einfluss eines elektrischen Feldes koennen sich Teilchen in metallgekapselten Schaltanlagen frei bewegen. Dies kann jedoch zu einer Schwaechung des Isoliervermoegens solcher Anlagen fuehren. Ursprung dieser Teilchen kann beispielsweise die mangelhafte Reinigung waehrend der Montage oder der Abrieb von Schaltgeraeten sein. Gelangen diese Teilchen allerdings in einen Teil der Anlage, in dem sie nicht mehr dem Einfluss des elektrischen Feldes ausgesetzt sind, so koennen sie nur durch andere Effekte (z.B. Gasstroemung, durch das Schalten verursachte Erschuetterungen, etc.) wieder unter diesen Einfluss gelangen. Bisher werden durch zusaetzliche Einbauten in den Behaeltern feldschwache Raeume geschaffen, aus denen die dort hinein gelangten Teilchen trotz Einwirkung des dort schwaecheren elektrischen Feldes nicht mehr hinaus gelangen koennen. Einbauten dieser Art koennen beispielsweise eingearbeitete Vertiefungen mit Teilabdeckungen oder nachtraeglich eingebrachte Abschirmprofile sein. Jedoch sind Behaelter mit Vertiefungen auf eine bestimmte Einbaulage beschraenkt. Auch nachtraeglich eingebrachte Abschirmprofile erreichen z.B. bei Erschuetterungen oder Gasbewegungen nur eine unzureichende Rueckhaltewirkung.

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S

Flanschverbindung mit eingeformter Teilchenfalle

Idee: Lutz-Ruediger Jaenicke, DE-Berlin; Dr. Frank Reincke, DE-Berlin; Dr. Norbert Trapp, DE- Berlin

Unter Einfluss eines elektrischen Feldes koennen sich Teilchen in metallgekapselten Schaltanlagen frei bewegen. Dies kann jedoch zu einer Schwaechung des Isoliervermoegens solcher Anlagen fuehren. Ursprung dieser Teilchen kann beispielsweise die mangelhafte Reinigung waehrend der Montage oder der Abrieb von Schaltgeraeten sein. Gelangen diese Teilchen allerdings in einen Teil der Anlage, in dem sie nicht mehr dem Einfluss des elektrischen Feldes ausgesetzt sind, so koennen sie nur durch andere Effekte (z.B. Gasstroemung, durch das Schalten verursachte Erschuetterungen, etc.) wieder unter diesen Einfluss gelangen.

Bisher werden durch zusaetzliche Einbauten in den Behaeltern feldschwache Raeume geschaffen, aus denen die dort hinein gelangten Teilchen trotz Einwirkung des dort schwaecheren elektrischen Feldes nicht mehr hinaus gelangen koennen. Einbauten dieser Art koennen beispielsweise eingearbeitete Vertiefungen mit Teilabdeckungen oder nachtraeglich eingebrachte Abschirmprofile sein. Jedoch sind Behaelter mit Vertiefungen auf eine bestimmte Einbaulage beschraenkt. Auch nachtraeglich eingebrachte Abschirmprofile erreichen z.B. bei Erschuetterungen oder Gasbewegungen nur eine unzureichende Rueckhaltewirkung.

Vorgeschlagen wird daher, die Flansche an den Behaeltern derart zu gestalten, dass die Bereiche fuer Dichtun...