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Verfahren zur Herstellung eines superschmalen Gatekontaktes direkt auf Trenchpoly

IP.com Disclosure Number: IPCOM000029958D
Original Publication Date: 2004-Aug-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Aug-25
Document File: 2 page(s) / 448K

Publishing Venue

Siemens

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Juergen Carstens: CONTACT

Abstract

Die Kontaktierung von Trenchelektroden wird bisher durch Herausziehen des Polysiliziums an die Oberflaeche im Chiprandbereich oder in nicht aktive Chipbereiche hergestellt. Das Polysilizium wird anschliessend ueber grossflaechige Kontaktloecher und Metallpads kontaktiert. Zum einen benoetigt man dazu jedoch relativ viel Platz im Chiprandbereich, zum anderen koennen durch das Herausfuehren unerwuenschte Oxidduennungen entstehen. Ferner braucht man zur Strukturierung des Polysiliziums bzw. der Polyelektrode eine zusaetzliche Poly-Fototechnik. Im Folgenden wird ein Verfahren vorgeschlagen, wie eine Polyelektrode im Trench direkt kontaktiert werden kann. Dazu wird eine Zwischenoxidschicht (ZWOX) direkt auf den Trench abgeschieden, das mittels einer Kontaktlochaetzung bis auf das Trenchpoly herab zurueckgeaetzt wird. Die typische Dicke der Zwischenoxidschicht bei Anwendung der Dense-Trench-Technologie betraegt 500 bis 600nm und die effektiv nutzbare Trenchbreite ca. 0,4m. Um bei einem Aspektverhaeltnis (Hoehe/Breite) von ca. 1,5 eine gute Kontaktierung zu erreichen, wird ein zusaetzlicher Polyplug in das Kontaktloch hineinprozessiert.

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S

© SIEMENS AG 2004 file: 2004J51325.doc page: 1

Verfahren zur Herstellung eines superschmalen Gatekontaktes direkt auf Trenchpoly

Idee: Dr. Markus Fundel, DE-Muenchen; Dr. Herrmann Peri, AT-Villach; Rudolf Zelsacher,

AT-Villach; Christian Putzi, AT-Villach; Dietmar Kotz, AT-Villach

Die Kontaktierung von Trenchelektroden wird bisher durch Herausziehen des Polysiliziums an die Oberflaeche im Chiprandbereich oder in nicht aktive Chipbereiche hergestellt. Das Polysilizium wird anschliessend ueber grossflaechige Kontaktloecher und Metallpads kontaktiert. Zum einen benoetigt man dazu jedoch relativ viel Platz im Chiprandbereich, zum anderen koennen durch das Herausfuehren unerwuenschte Oxidduennungen entstehen. Ferner braucht man zur Strukturierung des Polysiliziums bzw. der Polyelektrode eine zusaetzliche Poly-Fototechnik.

Im Folgenden wird ein Verfahren vorgeschlagen, wie eine Polyelektrode im Trench direkt kontaktiert werden kann. Dazu wird eine Zwischenoxidschicht (ZWOX) direkt auf den Trench abgeschieden, das mittels einer Kontaktlochaetzung bis auf das Trenchpoly herab zurueckgeaetzt wird. Die typische Dicke der Zwischenoxidschicht bei Anwendung der Dense-Trench-Technologie betraegt 500 bis 600nm und die effektiv nutzbare Trenchbreite ca. 0,4µm. Um bei einem Aspektverhaeltnis (Hoehe/Breite) von ca. 1,5 eine gute Kontaktierung zu erreichen, wird ein zusaetzlicher Polyplug in das Kontaktloch hineinprozessiert.

Dieser Prozess kann wie folgt durchgefuehrt werden:

Nach der Oeffnung bestimmter Bereiche auf den Polygates mittels einer Kontaktlochstrukturierung wird eine entsprechend dotierte und entsprechend dicke Polyschicht abgeschieden. Um einen guten, niederohmigen Kontakt zum darunter liegenden Gate-Poly ausbilden zu koennen, ist die Entfernung des "native Oxides" auf den Polygates unmittelbar vor der P...