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Stabilization of High Aspect Ratio Structures by Sacrifical Resist Structures

IP.com Disclosure Number: IPCOM000030802D
Original Publication Date: 2004-Sep-25
Included in the Prior Art Database: 2004-Sep-25
Document File: 2 page(s) / 49K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Waehrend der Herstellung von Halbleiterelementen koennen sich hochaspektische Strukturen (Abbildung 1) bei der nasschemischen Reinigung durch die auftretenden Kapillarkraefte so weit verbiegen, dass sie schliesslich abbrechen oder durch Adhaesionskraefte aneinander haften. Bislang werden die Kapillarkraefte durch komplizierte Prozesse, wie z. B. superkritisches Trocknen oder Sublimationstrocknen, vermieden. Die hier vorgestellte Idee loest dieses Problem auf einfachere Weise. Hochaspektische Strukturen werden zwar nach wie vor nasschemisch gereinigt, jedoch werden zuvor Opferstrukturen aus einem Hilfsmaterial zum Aussteifen im oberen Bereich der Strukturen aufgebracht, um ein Verbiegen zu verhindern. Diese Hilfsschicht ist beispielsweise ein Negativresist, der auf die eigentliche Struktur aufgeschleudert wird (Abbildung 2). Anschliessend werden durch eine Lithographie die Opferstrukturen dargestellt, wobei die Wellenlaenge so gewaehlt wird, dass sich der Negativresist nur im oberen Bereich vernetzt. Der unvernetzte Rest wird im nachfolgenden Schritt herausgeloest. Die Opferstrukturen koennen an einzelnen Stellen oder periodisch verteilt aufgebracht werden (Abbildung 3). Sie bilden dann ein versteifendes, temporaeres Fachwerk, das ein Verbiegen der Struktur verhindert, welche aber dennoch mit einer Fluessigkeit gereinigt werden kann. Die Hilfsschicht wird danach in der Gasphase, z. B. durch Veraschen, rueckstandsfrei entfernt.

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S

Stabilization of High Aspect Ratio Structures by Sacrifical Resist Structures

Idee: Michael Sesterhenn, DE-Dresden

Waehrend der Herstellung von Halbleiterelementen koennen sich hochaspektische Strukturen (Abbildung 1) bei der nasschemischen Reinigung durch die auftretenden Kapillarkraefte so weit verbiegen, dass sie schliesslich abbrechen oder durch Adhaesionskraefte aneinander haften. Bislang werden die Kapillarkraefte durch komplizierte Prozesse, wie z. B. superkritisches Trocknen oder Sublimationstrocknen, vermieden.

Die hier vorgestellte Idee loest dieses Problem auf einfachere Weise. Hochaspektische Strukturen werden zwar nach wie vor nasschemisch gereinigt, jedoch werden zuvor Opferstrukturen aus einem Hilfsmaterial zum Aussteifen im oberen Bereich der Strukturen aufgebracht, um ein Verbiegen zu verhindern. Diese Hilfsschicht ist beispielsweise ein Negativresist, der auf die eigentliche Struktur aufgeschleudert wird (Abbildung 2). Anschliessend werden durch eine Lithographie die Opferstrukturen dargestellt, wobei die Wellenlaenge so gewaehlt wird, dass sich der Negativresist nur im oberen Bereich vernetzt. Der unvernetzte Rest wird im nachfolgenden Schritt herausgeloest. Die Opferstrukturen koennen an einzelnen Stellen oder periodisch verteilt aufgebracht werden (Abbildung
3). Sie bilden dann ein versteifendes, temporaeres Fachwerk, das ein Verbiegen der Struktur verhindert, welche aber dennoch mit einer Fluessigkeit gereinigt werden kann. Die Hilfsschich...