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Platzsparende Realisierung von Diffusionskapazitaeten mittels einer hochenergetisch implantierten Schicht

IP.com Disclosure Number: IPCOM000031331D
Published in the IP.com Journal: Volume 4 Issue 10 (2004-10-25)
Included in the Prior Art Database: 2004-Oct-25
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Publishing Venue

Siemens

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Abstract

In jeder integrierten Schaltung (IC - Integrated Circuit) werden Kapazitaeten als wesentliche Bauelemente verwendet. Diese werden in der Regel ueber Diffusionskapazitaeten an der Siliziumoberflaeche oder ueber Metallisierungskapazitaeten realisiert. Beide Methoden benoetigen entweder im Silizium oder in den Metallisierungsebenen Platz, der nicht fuer andere Bauelemente bzw. fuer Verdrahtung genutzt werden kann. Um dieses Problem zu loesen, koennen Diffusionskapazitaeten mittels Hochenergieimplantation unter aktive Gebiete wie beispielsweise Transistoren plaziert werden (siehe Abb. 1). Die Hochenergieimplantation ermoeglicht ein tiefes Einbringen von Dotierungsschichten in das Silizium. Damit ist es moeglich, eine vergrabene Diffusionskapazitaet herzustellen, ueber der durch niederenergetisch implantierte Diffusionen weitere aktive Bauelemente liegen koennen. Folglich wird der Platzbedarf erheblich reduziert. Es muss lediglich Platz fuer den Kontakt zur Siliziumoberflaeche beruecksichtigt werden. Zur Vermeidung von Schaedigungen der darueber liegenden Bereiche muss diese relativ frueh im Herstellungsprozess erfolgen (z.B. im Bereich der Wannenimplantation).

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Platzsparende Realisierung von Diffusionskapazitaeten mittels einer hochenergetisch implantierten Schicht

Idee: Dr. Wolfgang Heinrichs, DE-Muenchen

In jeder integrierten Schaltung (IC - Integrated Circuit) werden Kapazitaeten als wesentliche Bauelemente verwendet. Diese werden in der Regel ueber Diffusionskapazitaeten an der Siliziumoberflaeche oder ueber Metallisierungskapazitaeten realisiert. Beide Methoden benoetigen entweder im Silizium oder in den Metallisierungsebenen Platz, der nicht fuer andere Bauelemente bzw. fuer Verdrahtung genutzt werden kann.

Um dieses Problem zu loesen, koennen Diffusionskapazitaeten mittels Hochenergieimplantation unter aktive Gebiete wie beispielsweise Transistoren plaziert werden (siehe Abb. 1). Die Hochenergieimplantation ermoeglicht ein tiefes Einbringen von Dotierungsschichten in das Silizium. Damit ist es moeglich, eine vergrabene Diffusionskapazitaet herzustellen, ueber der durch niederenergetisch implantierte Diffusionen weitere aktive Bauelemente liegen koennen. Folglich wird der Platzbedarf erheblich reduziert. Es muss lediglich Platz fuer den Kontakt zur Siliziumoberflaeche beruecksichtigt werden. Zur Vermeidung von Schaedigungen der darueber liegenden Bereiche muss diese relativ frueh im Herstellungsprozess erfolgen (z.B. im Bereich der Wannenimplantation).

Abb. 1: Prinzipskizze

© SIEMENS AG 2004 file: ifx_2004J53095.doc page: 1

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