Browse Prior Art Database

Kontrolle der Ionenenergieverteilung auf der Waveroberflaeche mittels Variation der Plasma-Anregungsfrequenz

IP.com Disclosure Number: IPCOM000033154D
Published in the IP.com Journal: Volume 4 Issue 12 (2004-12-25)
Included in the Prior Art Database: 2004-Dec-25
Document File: 1 page(s) / 20K

Publishing Venue

Siemens

Related People

Juergen Carstens: CONTACT

Abstract

Bei Plasmaaetzprozessen ist der Ionenbeschuss auf der Waferoberflaeche ein entscheidender Prozessparameter. Der Ionenbeschuss ist durch die Ionenenergieverteilung, die Ionenwinkelverteilung und die Ionenstromdichte gekennzeichnet. Abhaengig von dem gewuenschten Prozessergebnis sind unterschiedliche Charakteristika der Ionenenergieverteilung notwendig. Beispielsweise sind dies bei isotropem Prozess niedrige Ionenenergien, bei anisotropem Prozess hohe Ionenenergien bzw. bei einer hohen Selektivitaet zur Maske, d.h. bei einer zeitabhaengigen Variation der Passivierung eine zeitabhaengige Variation der Ionenenergieverteilung. Fuer ein optimales Prozessergebnis sind Methoden zur definierten Einstellung der Ionenenergieverteilung auf der Waferoberflaeche erforderlich. Bislang werden geeignete Frequenzen der RF-Anregung (Radio Frequency) fuer eine Anregung des RF-Plasmas fuer eine bestimmte Anlagengruppe bzw. fuer bestimmte Plasmaaetzanwendungen festgelegt. Dies sind beispielsweise sogenannte Dual Frequency Anlagen (CCP (Capture, Compare and Pulse Width Modulation Module) Typ) oder TCP/DPS-Anlagen (ICP (Inductively Coupled Plasma) Typ). Triple Frequency Anlagen bzw. gepulste RF- Anlagen sind in Vorbereitung/Diskussion. Mit den derzeitigen Verfahren ist es jedoch nicht moeglich, die Ionenenergieverteilung schnell und definiert waehrend des Prozesses zu aendern. Zudem ist es nicht moeglich, die Ionenenergieverteilung unabhaengig von anderen Prozessparametern wie beispielsweise RF-Power und Druck zu aendern.

This text was extracted from a PDF file.
This is the abbreviated version, containing approximately 55% of the total text.

Page 1 of 1

S

Kontrolle der Ionenenergieverteilung auf der Waveroberflaeche mittels Variation der Plasma-Anregungsfrequenz

Idee: Andreas Steinbach, DE-Muenchen; Sven Barth, DE-Muenchen; Marco Reinicke, DE-

Muenchen

Bei Plasmaaetzprozessen ist der Ionenbeschuss auf der Waferoberflaeche ein entscheidender Prozessparameter. Der Ionenbeschuss ist durch die Ionenenergieverteilung, die Ionenwinkelverteilung und die Ionenstromdichte gekennzeichnet. Abhaengig von dem gewuenschten Prozessergebnis sind unterschiedliche Charakteristika der Ionenenergieverteilung notwendig. Beispielsweise sind dies bei isotropem Prozess niedrige Ionenenergien, bei anisotropem Prozess hohe Ionenenergien bzw. bei einer hohen Selektivitaet zur Maske, d.h. bei einer zeitabhaengigen Variation der Passivierung eine zeitabhaengige Variation der Ionenenergieverteilung. Fuer ein optimales Prozessergebnis sind Methoden zur definierten Einstellung der Ionenenergieverteilung auf der Waferoberflaeche erforderlich.

Bislang werden geeignete Frequenzen der RF-Anregung (Radio Frequency) fuer eine Anregung des RF-Plasmas fuer eine bestimmte Anlagengruppe bzw. fuer bestimmte Plasmaaetzanwendungen festgelegt. Dies sind beispielsweise sogenannte Dual Frequency Anlagen (CCP (Capture, Compare and Pulse Width Modulation Module) Typ) oder TCP/DPS-Anlagen (ICP (Inductively Coupled Plasma) Typ). Triple Frequency Anlagen bzw. gepulste RF- Anlagen sind in Vorbereitung/Diskussion. Mit den derzeitigen Verfahren ist es jedoch nicht mo...