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Anlaufbaustein fuer SMPS mit Unterspannungserkennung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000124837D
Original Publication Date: 2005-Jun-20
Included in the Prior Art Database: 2005-Jun-20
Document File: 4 page(s) / 75K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Zur Entwicklung eines Anlaufbausteins fuer SMPS (Switched Mode Power Supply) mit Unterspannungserkennung wird eine HV-Anlaufschaltung (HV, High Voltage) vorgeschlagen wie sie in Abbildung 1 zu sehen ist. Diese besteht aus einem Depletion-FET mit einer in Serie geschalteten Zenerdiode und einer Beschaltung mit einer Diode D1, einer Zenerdiode Z2 sowie einem Widerstand R1. Der Anlauf der Schaltung erfolgt mit einer Gatespannung von 0V (beliebig dimensionierbar) durch den Transistor T1. Nach Erreichen der gewuenschten Spannung UIC laeuft die Schaltung an und UIC wird durch eine Sekundaerentwicklung gespeist. Ist diese Spannung beispielsweise groesser als UZ2, wird der Transistor T1 bis auf den Strom durch den Widerstand R1 praktisch gesperrt. Dieser Basisstrom kann im Milliampere-Bereich liegen. So lange die Spannung +UB groesser ist als UZ1, liegt ein „Normalspannungssignal“ UUSE vor. Faellt dagegen die Spannung UB unter UZ1, so sinkt UUSE auf 0 und die Unterspannungerkennung ist gewaehrleistet. Wie auch der Basisstrom kann auch der Ruhestrom im Milliampere-Bereich liegen. Zweckmaessig ist es, dass die Stromsenke I, die Diode D1 und die Zenerdiode Z2 im NV-Ansteuer-IC (NV, Nominal Voltage) integriert sind. Der HV-Ansteuer-IC ist ein Dreipol-HV-IC herstellbar beispielsweise mittels der HV-SOI-Technologie (SOI, Silicon-On-Insulator).

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S

Anlaufbaustein fuer SMPS mit Unterspannungserkennung

Idee: Dr. Jenoe Tihanyi, DE-Muenchen

Zur Entwicklung eines Anlaufbausteins fuer SMPS (Switched Mode Power Supply) mit Unterspannungserkennung wird eine HV-Anlaufschaltung (HV, High Voltage) vorgeschlagen wie sie in Abbildung 1 zu sehen ist. Diese besteht aus einem Depletion-FET mit einer in Serie geschalteten Zenerdiode und einer Beschaltung mit einer Diode D1, einer Zenerdiode Z2 sowie einem Widerstand R1. Der Anlauf der Schaltung erfolgt mit einer Gatespannung von 0V (beliebig dimensionierbar) durch den Transistor T1. Nach Erreichen der gewuenschten Spannung UIC laeuft die Schaltung an und UIC wird durch eine Sekundaerentwicklung gespeist. Ist diese Spannung beispielsweise groesser als UZ2,

wird der Transistor T1 bis auf den Strom durch den Widerstand R1 praktisch gesperrt. Dieser Basisstrom kann im Milliampere-Bereich liegen. So lange die Spannung +UB groesser ist als UZ1, liegt ein "Normalspannungssignal" UUSE vor. Faellt dagegen die Spannung UB unter UZ1, so sinkt UUSE auf 0 und die Unterspannungerkennung ist gewaehrleistet. Wie auch der Basisstrom kann auch der Ruhestrom im Milliampere-Bereich liegen. Zweckmaessig ist es, dass die Stromsenke I, die Diode D1

und die Zenerdiode Z2 im NV-Ansteuer-IC (NV, Nominal Voltage) integriert sind. Der HV-Ansteuer-IC ist ein Dreipol-HV-IC herstellbar beispielsweise mittels der HV-SOI-Technologie (SOI, Silicon-On- Insulator).

Ferner ist auch eine Loesung mittels SITAC...