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Miller-Kapazitaet Engineering

IP.com Disclosure Number: IPCOM000125985D
Original Publication Date: 2005-Jul-25
Included in the Prior Art Database: 2005-Jul-25
Document File: 1 page(s) / 62K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

In den neuen Niedervolt-Trench-Gate MOSFETs (MetallOxide Semiconductor Field Effect Transistor) entstehen aufgrund kleiner Millerkapazitaeten Stoerungen durch elektromagnetische Interferenz (EMI).

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S

Miller-Kapazitaet Engineering

Idee: Dr. Jenoe Tihanyi, DE-Muenchen

In den neuen Niedervolt-Trench-Gate MOSFETs (MetallOxide Semiconductor Field Effect Transistor) entstehen aufgrund kleiner Millerkapazitaeten Stoerungen durch elektromagnetische Interferenz (EMI).

Um diese EMI-Stoerungen auszuschalten, wird vorgeschlagen die Millerkapazitaet zu vergroessern. Dazu wird das Gate, das bisher nur bis zur n Zone reichte, bis in die n+ Zone verlaengert. Man kann die Groesse der Millerkapazitaet einstellen, indem man die Laenge des Gate in der n+ Zone variiert. Ein Ausfuehrungsbeispiel der Idee ist in Abbildung 1 dargestellt.

Abbildung 1:

© SIEMENS AG 2005 file: ifx_2005J51559.doc page: 1

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